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本发明的层叠结构体是在基底基板上具备包含α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体的具有刚玉型结晶结构的半导体膜的层叠结构体，其中，半导体膜的平均膜厚为10μm以上，半导体膜呈凸状或凹状翘曲，半导体膜的翘曲量为20μm以上64μm以下。64μm...
该专利属于日本碍子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本碍子株式会社授权不得商用。

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