半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了半导体器件，包括衬底、存储节点焊盘、电容结构、以及支撑结构。存储节点焊盘设置在衬底上。电容结构设置在存储节点焊盘上，包括多个电容，由下而上包括底电极层、电容电介质层与顶电极层，其中，底电极层的顶部具有一凹槽。支撑结构由下而上包括多个第一支撑层和多个第二支撑层，连接两相邻的电容，其中，凹槽分别朝向各个第二支撑层。凹槽分别朝向各个第二支撑层。凹槽分别朝向各个第二支撑层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本技术涉及一种半导体器件，尤其是涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0002]随着各种电子产品朝小型化发展之趋势，半导体存储器件的设计也必须符合高积集度及高密度之要求。对于具备凹入式闸极结构之动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载子通道长度，以减少电容结构之漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构的动态随机存取记忆体。
[0003]一般来说，具备凹入式闸极结构的动态随机存取存储器是由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区，用来存储信息，而每一存储单元可由一晶体管组件与一电容器组件串联组成，以接收来自字线(word line,WL)及位线(bit line,BL)的电压信息。因应产品需求，阵列区中的存储单元密度须持续提升，造成相关制作工艺与设计上的困难度与复杂度不断增加。因此，现有技术或结构还待进一步改良以有效提升相关存储装置的效能及可靠度。r/>[0004]故本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括:衬底；多个存储节点焊盘，设置在所述衬底上；电容结构，设置在所述存储节点焊盘上，所述电容结构包括多个电容，各所述电容由下而上包括底电极层、电容电介质层与顶电极层，所述底电极层的顶部具有一凹槽；以及支撑结构，由下而上包括多个第一支撑层和多个第二支撑层，连接两相邻的所述电容，其中，所述凹槽分别朝向各所述第二支撑层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述底电极层还包括倾斜面，所述底电极层在所述倾斜面之下具有第一厚度、在所述倾斜面之上具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述倾斜面在垂直于所述衬底的方向上位在所述第二支撑层与所述第一支撑层之间。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述倾斜面在垂直于所述衬底的方向上高于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴淑贤，汤辉煌，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：