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本实用新型公开了半导体器件，包括衬底、存储节点焊盘、电容结构、以及支撑结构。存储节点焊盘设置在衬底上。电容结构设置在存储节点焊盘上，包括多个电容，由下而上包括底电极层、电容电介质层与顶电极层，其中，底电极层的顶部具有一凹槽。支撑结构由下而上...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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