非易失性存储器件制造技术

一种非易失性存储器件，包括：在竖直方向上堆叠在衬底上方的多条字线；擦除控制线，在第一方向上彼此间隔开并沿第二方向延伸；通道晶体管电路，包括与第一组擦除控制线连接的第一通道晶体管、以及与第二组擦除控制线连接的第二通道晶体管；以及存储单元阵列，包括多个块。第一组擦除控制线相对靠近字线切割区，而第二组擦除控制线相对远离字线切割区。多个块中的每一个包括与字线和擦除控制线连接的多个沟道结构，并且每个沟道结构沿竖直方向延伸。伸。伸。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并且要求于2021年10月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0138801的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]专利技术构思涉及一种存储器件，并且更具体地，涉及一种具有多孔结构的非易失性存储器件。

技术介绍

[0004]存储器件用于存储数据并且被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。根据对非易失性存储器件的高容量和紧凑性的需求，已经开发了包括在衬底上沿竖直方向延伸的多个沟道孔(即，多个沟道结构)的三维存储器件。为了进一步提高三维存储器件的集成度，每个存储块中包括的沟道孔的数量(即，沟道结构的数量)可以增加得更多。由于沟道孔(即，沟道结构)的固有特性的差异，具有多孔结构的非易失性存储器件可能具有变化的性能。

技术实现思路

[0005]专利技术构思提供了一种非易失性存储器件，通过考虑沟道孔的固有特性来控制擦除操作，可以降低由于沟道孔的固有特性的差异而导致的该非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器件，包括：多条字线，在竖直方向上堆叠在衬底上方，所述多条字线包括字线切割区；多条擦除控制线，在第一方向上彼此间隔开并沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸，其中，与所述多条擦除控制线中的相对远离所述字线切割区的第二组相比，所述多条擦除控制线中的第一组相对靠近所述字线切割区；通道晶体管电路，包括第一通道晶体管和第二通道晶体管，所述第一通道晶体管连接到所述多条擦除控制线中的所述第一组，并且所述第二通道晶体管连接到所述多条擦除控制线线中的所述第二组；以及存储单元阵列，包括多个块，所述多个块中的每个块包括与所述多条字线和所述多条擦除控制线连接的多个沟道结构，并且所述多个沟道结构中的每一个沿所述竖直方向延伸。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：多条串选择线，分别在所述多条字线上方在所述第一方向上彼此间隔开并沿所述第二方向延伸，其中，所述多条擦除控制线在所述多条串选择线上方。3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：多条地选择线，分别在所述多条字线下方在所述第一方向上彼此间隔开并沿所述第二方向延伸，其中，所述多条擦除控制线在所述多条地选择线下方。4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述多条擦除控制线包括多条栅极感应漏极泄漏GIDL栅极线，以及所述多个沟道结构中的每一个包括与所述多条GIDL栅极线中的对应GIDL栅极线连接的GIDL选择晶体管。5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述非易失性存储器件被配置为对所述多个块中的选定块执行擦除操作，所述擦除操作包括将第一擦除控制电压施加到所述多条擦除控制线中的所述第一组、以及将第二擦除控制电压施加到所述多条擦除控制线中的所述第二组，以及所述第一擦除控制电压不同于所述第二擦除控制电压。6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述非易失性存储器件被配置为对所述多个块中的选定块执行擦除操作，以及所述擦除操作包括用于将第一擦除控制电压施加到所述多条擦除控制线中的所述第一组的施加开始时间，所述施加开始时间与用于将第二擦除控制电压施加到所述多条擦除控制线中的所述第二组的施加开始时间不同。7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述非易失性存储器件被配置为对所述多个块中的选定块执行擦除操作，以及所述擦除操作包括用于将第一擦除控制电压施加到所述多条擦除控制线中的所述第一组的施加结束时间，所述施加结束时间与用于将第二擦除控制电压施加到所述多条擦除控制线中的所述第二组的施加结束时间不同。8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中根据所述非易失性存储器件的温度，
所述非易失性存储器件被配置为执行以下至少一项操作：控制针对用于将第一擦除控制电压施加到所述多条擦除控制线中的所述第一组的电压电平的补偿值与针对用于将第二擦除控制电压施加到所述多条擦除控制线中的所述第二组的电压电平的补偿值不同，或者控制针对用于将所述第一擦除控制电压施加到所述多条擦除控制线中的所述第一组的施加时间的补偿值与针对用于将所述第二擦除控制电压施加到所述多条擦除控制线中的所述第二组的施加时间的补偿值不同。9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述多条字线的字线切割区包括第一字线切割区、第二字线切割区和第三字线切割区，所述多条擦除控制线包括第一擦除控制线、第二擦除控制线、第三擦除控制线、第四擦除控制线、第五擦除控制线和第六擦除控制线，所述第一擦除控制线、所述第二擦除控制线和所述第三擦除控制线在所述第一方向上位于所述第一字线切割区与所述第二字线切割区之间，以及所述第四擦除控制线、所述第五擦除控制线和所述第六擦除控制线在所述第一方向上位于所述第二字线切割区与所述第三字线切割区之间，其中，所述第一擦除控制线、所述第三擦除控制线、所述第四擦除控制线和所述第六擦除控制线被包括在所述多条擦除控制线中的所述第一组中，以及所述第二擦除控制线和所述第五擦除控制线被包括在所述多条擦除控制线中的所述第二组中。10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中所述第一通道晶体管共同连接到所述第一擦除控制线、所述第三擦除控制线、所述第四擦除控制线和所述第六擦除控制线，所述第一通道晶体管被配置为在对所述多个块中的选定块执行擦除操作期间将第一擦除控制电压发送到所述第一擦除控制线、所述第三擦除控制线、所述第四擦除控制线和所述第六擦除控制线，所述第二通道晶体管共同连接到所述第二擦除控制线和所述第五擦除控制线，所述第二通道晶体管被配置为在对所述选定块执行擦除操作期间将第二擦除控制电压发送到所述第二擦除控制线和所述第五擦除控制线，以及所述第一擦除控制电压的电压电平和施加时间中的至少一个与所述第二擦除控制电压的电压电平和施加时间中的至少一个不同。11.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述多条字线的字线切割区包括第一字线切割区、第二字线切割区和第三字线切割区，所述多条擦除控制线包括第一擦除控制线、第二擦除控制线、第三擦除控制线、第四擦除控制线、第五擦除控制线、第六擦除控制线、第七擦除控制线和第八擦除控制线，所述第一擦除控制线、所述第二擦除控制线、所述第三擦除控制线和所述第四擦除控制线在所述第一方向上位于所述第一字线切割区与所述第二字线切割区之间，所述第五擦除控制线、所述第六擦除控制线、所述第七擦除控制线和所述第八擦除控
制线在所述第一方向上位于所述第二字线切割区与所述第三字线切割区之间，所述第一擦除控制线、所述第四擦除控制线、所述第五擦除控制线和所述第八擦除控制线被包括在所述多条擦除控制线中的所述第一组中，以及所述第二擦除控制线、所述第三擦除控制线、所述第六擦除控制线和所述第七擦除控制线被包括在所述多条擦除控制线中的所述第二组中。12.根据权利要求11所述的非易失性存储器件，其中所述第一通道晶体管共同连接到所述第一擦除控制线、所述第四擦除控制线、所述第五擦除控制线和所述第八擦除控制线，所述第一通道晶体管被配置为在对所述多个块中的选定块执行擦除操作期间将第一擦除控制电压发送到所述第一擦除控制线、所述第四擦除控制线、所述第五擦除控制线和所述第八擦除控制线，所述第二通道晶体管共同连接到所述第二擦除控制线、所述第三擦除控制线、所述第六擦除控制线和所述第七擦除控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴相元，任琫淳，金炳秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：