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一种非易失性存储器件，包括：在竖直方向上堆叠在衬底上方的多条字线；擦除控制线，在第一方向上彼此间隔开并沿第二方向延伸；通道晶体管电路，包括与第一组擦除控制线连接的第一通道晶体管、以及与第二组擦除控制线连接的第二通道晶体管；以及存储单元阵列，...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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