【技术实现步骤摘要】
状态。
[0005]SST型FLASH存储器是由多个基本单元组成的阵列结构，此阵列结构分为数据区和参考区，如图2所示，为常用SST型FLASH存储器的阵列结构示意图，该阵列结构中，包括字线、位线、数据区和参考区。本专利技术的具体实施例中，该阵列结构的第1～第1024列为数据区，第1025列～第1028列为参考区。常用情况下，SST型FLASH存储器存储数据的一般步骤为，存储数据前，先对数据区和参考区进行擦除操作，然后校验数据区是否擦除成功，随后，擦除操作完成后，在数据区写操作，同时，在参考区不进行写数据操作；最后，校验数据区写入数据是否正确，并重复之前的擦除和写入操作。
[0006]常用情况下，SST型FLASH存储器数据存储过程中，其数据区进行多次擦除和写操作后，FLASH存储器的基本单元中浮栅、源极、漏极等会慢慢老化，位线电流会逐渐衰减，但是，其参考区由于没有进行过写操作，位线电流基本不会衰减，所以，其数据区的位线电流与参考区的位线电流比值会越来越低，导致数据区无法进行擦除操作，FLASH存储器被视为处于损坏或不能正常工作状态。因此，亟需提供一种...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高提高SST型非易失性存储器使用寿命的方法，所述非易失性存储器包括若干基本单元阵列结构，所述阵列结构分为数据区和参考区，其特征在于，所述方法的具体步骤如下：步骤一、对非易失性存储器所有基本单元进行擦除操作，即清除所有基本单元浮栅内的电荷；步骤二、校验数据区是否擦除操作成功，即校验数据区的位线电流，将数据区的位线电流值与参考区的参考电流值进行对比，如果数据区的位线电流值大于参考区的参考电流值时，为数据区擦除操作成功，定义为“1”；反之，如果数据区的位线电流值小于参考区的参考电流值时，则擦除操作失败，定义为“0”；步骤三、校验擦除后数据区数据是否正确，即校验数据区的位线电流值，将数据区的位线电流值与参考区的参考电流值进行对比，如果数据...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘静，陈凝，郭耀华，欧阳睿，郑普光，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。