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本发明提供了一种提高SST型非易失性存储器使用寿命的方法。其中，所述非易失性存储器包括若干基本单元阵列结构，所述阵列结构分为数据区和参考区，在SST型非易失性存储器的擦除和写操作步骤中加入参考区写入操作的方法，使得数据区与参考区的位线电流同...
该专利属于紫光同芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过紫光同芯微电子有限公司授权不得商用。

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