银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：采用多元醇法在第一金属电极片上制备银纳米线层，并将第二金属电极片置于银纳米线层表面，然后进行至少5min的第一次通电处理，第一次通电处理的电压为24V

【技术实现步骤摘要】
银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及透明导电薄膜
，特别是涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]银纳米线透明导电薄膜的光电性能主要取决于银纳米线自身的长度和表面的洁净程度，银纳米线越长且表面洁净度越高，则得到的银纳米线透明导电薄膜的光电性能更佳。
[0003]采用多元醇法制备银纳米线透明导电薄膜时，通常会加入一种不导电高分子（比如PVP）作为稳定剂，这种不导电高分子在控制银纳米线的形貌和尺寸方面起着至关重要的作用。但是，如果引入以PVP为代表的不导电聚合物，会导致银纳米线透明导电薄膜中结点电阻明显升高，达到106Ω级，从而导致电子在传输过程中受到结点处阻碍，大大降低了银纳米线透明导电薄膜的光电性能，进而限制了银纳米线透明导电薄膜的应用场景。
[0004]为了降低银纳米线透明导电薄膜中的结点电阻，在传统的银纳米线透明导电薄膜的制备过程中，通常需要引入热压、真空抽滤、激光熔融等后处理方法。但是，由于热压需要在高温高压的条件下进行，容易损害透明基底；而真空抽滤无法完本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用多元醇法在第一金属电极片上制备银纳米线层，并将第二金属电极片置于所述银纳米线层表面，然后进行至少5min的第一次通电处理，其中，所述第一次通电处理的电压为24V
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36V；第一次通电处理结束后，剥离掉所述第一金属电极片和所述第二金属电极片，得到预处理导电层，并与透明基底复合，得到预处理复合膜；在所述预处理复合膜的至少一对平行侧面放置金属电极片，对所述预处理导电层进行至少5min的第二次通电处理，得到银纳米线透明导电薄膜，其中，所述第二次通电处理的电压为24V
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36V。2.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述银纳米线层的厚度为0.5μm
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2μm。3.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一次通电处理的电压为26V
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32V；及/或，所述第一次通电处理的时间为5min
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10min。4.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鸿武，郑博达，陈洁，汪聪，曾西，郑东辉，苏传明，解威，
申请(专利权)人：浙江大华技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：