银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层，得到第一复合层，氧化物层选自二氧化硅层或氧化锌层；将第一复合层进行热等静压处理，得到第二复合层；在第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜，并去掉金属基板，得到第三复合层；提供透明导电层，透明导电层包括层叠设置的透明衬底和银纳米线层，将第三复合层转印至银纳米线层的表面，并剥离有机硅离型膜，得到预处理导电薄膜；将预处理导电薄膜进行冷等静压处理，得到银纳米线透明导电薄膜。本发明专利技术制备方法能够显著提高银纳米线透明导电薄膜可靠性，同时保证银纳米线透明导电薄膜具有高透过率。同时保证银纳米线透明导电薄膜具有高透过率。同时保证银纳米线透明导电薄膜具有高透过率。

【技术实现步骤摘要】
银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及透明导电薄膜
，特别是涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]银纳米线透明导电薄膜不仅光电性能优异，而且制备工艺简单，具有易实现大面积成膜、可弯折以及价格低廉等优势，是铟锡氧化物（ITO）薄膜的最佳替代产品，可广泛应用于触控、显示、光伏、除霜除雾玻璃、防电磁干扰透明窗等领域。当银纳米线透明导电薄膜用于加热领域时，对其热稳定性和化学稳定性要求较高，需要在其表面沉积一层保护层，以防止银纳米线的氧化和表面原子扩散。
[0003]采用旋涂、喷涂或者涂布等传统湿法工艺制备的保护层致密性较差，透水率和透氧率难以达到10
‑4的数量级，从而在通电加热时，极易导致银纳米线透明导电薄膜性能失效，可靠性不佳。并且，湿法工艺制备的膜层均匀性难以控制，膜层过厚不仅会影响银纳米线透明导电薄膜的加热性能，而且会降低银纳米线透明导电薄膜的透过率。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题，提供一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层，得到第一复合层，其中，所述氧化物层选自二氧化硅层或者氧化锌层；将所述第一复合层进行热等静压处理，得到第二复合层；在所述第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜，并去掉所述金属基板，得到第三复合层；提供透明导电层，所述透明导电层包括层叠设置的透明衬底和银纳米线层，将所述第三复合层转印至所述透明导电层的银纳米线层表面，并剥离所述有机硅离型膜，得到预处理导电薄膜；将所述预处理导电薄膜进行冷等静压处理，得到银纳米线透明导电薄膜。2.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层的步骤中，所述氧化物层的厚度为30μm
‑
60μm。3.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述热等静压处理的温度为1000℃
‑
1200℃，压力为100MPa
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200MPa，时间为1h
‑
2h。4.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述第二复...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鸿武，郑博达，汪聪，曾西，苏传明，解威，祝潇莉，陈洁，
申请(专利权)人：浙江大华技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：