一种卤代改性制备的光刻胶树脂材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于光刻胶技术领域，本发明专利技术公开了一种卤代改性光刻胶树脂材料及其制备方法。本发明专利技术利用卤代方法对聚合物进行改性，制备出了曝光性能优异，且卤代官能度可调，可实现树脂玻璃化温度以及光刻胶曝光灵敏度和高宽比可调控的光刻胶用树脂材料。本发明专利技术还提供了所述光刻胶树脂材料的制备方法，对发展灵敏度高，分辨率高，曝光时间短，且显影后的图形稳定性高的光刻胶树脂材料具有重要意义。高的光刻胶树脂材料具有重要意义。高的光刻胶树脂材料具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】
一种卤代改性制备的光刻胶树脂材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光刻胶
，尤其涉及一种卤代改性制备的光刻胶树脂材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是指集成电路中利用光学
‑
化学反应原理结合刻蚀方法，利用光刻胶将掩膜版上的图形转移至衬底的工艺技术，是5G、IT和人工智能等新兴产业的核心技术。光刻工艺的发展主要依靠光源波长的不断缩小，从g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)再到如今的极紫外(EUV，13.5nm)，集成电路的制程工艺在不断进步，光刻胶也随之不断更新换代。光刻胶由成膜树脂、感光剂、溶剂和添加剂等组成，根据光刻材料照射前后发生的溶解性变化可以将光刻胶分为正性胶和负性胶。在显影液中曝光区域软化溶解，未曝光区域保留在衬底上为正性光刻胶，反之为负性光刻胶。
[0003]光刻胶的种类繁多，是集光化学、有机合成、高分子合成、电子信息等诸多学科于一体的综合性领域，是典型的技术密集型行业。目前大规模集成电路工业常用的电子束光刻胶主要为聚甲基丙烯酸甲酯(P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种卤代改性光刻胶树脂材料，其特征在于，所述光刻胶树脂材料的结构为：其中，u、v和w为结构单元的摩尔占比，0≤u＜0.8，0＜v≤0.9，0＜w≤0.9，u+v+w＝1；R
′
为H、
‑
CH3和X中的一种或多种；X为
‑
Cl、
‑
Br、
‑
F中的一种或多种；R
″
为H、
‑
CH3和Y中的一种或多种，其中Y为
‑
Cl、
‑
Br、
‑
F中的一种或多种；Ar为苯环及其衍生物、萘环及其衍生物中的一种或多种；n为正整数；R1为式I和式II中的一种或多种；其中，R2和R3独立的为
‑
H、
‑
CH3、
‑
CH2CH3、C3～C
12
烷烃、苯环及其衍生物、萘环及其衍生物中的一种或多种；所述苯环及其衍生物和萘环及其衍生物分别独立的为苯、苯酚、甲苯、二甲苯、乙基苯、三甲基苯、卤代苯、苯甲醇、萘、卤代萘、萘酚、硝基萘、二甲基萘、甲基萘、三甲基萘、萘甲醇中的一种或多种。2.根据权利要求1所述卤代改性光刻胶树脂材料，其特征在于，所述u、v和w为结构单元的摩尔占比，0≤u＜0.2，0＜v≤0.7，0＜w≤0.8，u+v+w＝1。3.根据权利要求1所述卤代改性光刻胶树脂材料，其特征在于，所述n为1≤n≤5的正整数。4.权利要求1～3任一项所述卤代改性光刻胶树脂材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将聚合物溶于溶剂中，加入卤代试剂进行卤代反应，反应结束后沉降，得到卤代改性光刻胶树脂材料。5.根据权利要求4所述卤代改性光刻胶树脂材料的制备方法，其特征在于，所述聚合物的结构为：其中，m和h为结构单元的摩尔占比，0＜m≤0.9，0＜h≤0.9，m+h＝1；R
III
和R
IV
独立的为H、
‑
CH3中的一种或多种；Ar为苯环及其衍生物、萘环及其衍生物中的一种或多种；
R1为式I和式II中的一种或多种；其中，R2和R3分别独立为
‑
H、
‑
CH3、
‑
CH2CH3、C3～C
12
烷烃、苯环及其衍生物、萘环及其衍生物中的一种或多种。6.根据权利要求5所述卤代改性光刻胶树脂材料的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：季生象，赖翰文，刘亚栋，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：