一种半导体器件及其制造方法技术

本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底以及位于所述衬底内的第一凹槽和第二凹槽；其中，所述第二凹槽是从所述第一凹槽的部分底表面往下刻蚀所述衬底形成，所述第二凹槽的侧壁相对所述第一凹槽的侧壁向内凹进预设长度；字线层，包括位于所述第二凹槽内的第一子部和位于所述第一凹槽内的第二子部；其中，所述第二子部的侧壁与所述第一凹槽的侧壁之间具有间隙；字线盖层，位于所述第一凹槽内且覆盖所述第二子部；其中，所述字线盖层内具有至少位于所述间隙处的气隙结构。隙处的气隙结构。隙处的气隙结构。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体器件，例如存储器，包括埋入式的字线层以及位于所述字线层两侧的源/漏掺杂区。在实际工艺中，所述字线层以及所述源/漏掺杂区通常存在部分交叠的情况。
[0003]然而，这种交叠容易引发栅诱导漏极泄漏电流(Gate Induced Drain Leakage，GIDL)，影响半导体器件的可靠性。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种半导体器件及其制造方法。
[0005]为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：
[0006]本申请实施例提供了一种半导体器件，包括：
[0007]衬底以及位于所述衬底内的第一凹槽和第二凹槽；其中，所述第二凹槽是从所述第一凹槽的部分底表面往下刻蚀所述衬底形成，所述第二凹槽的侧壁相对所述第一凹槽的侧壁向内凹进预设长度；
[0008]字线层，包括位于所述第二凹槽内的第一子部和位于所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底内的第一凹槽和第二凹槽；其中，所述第二凹槽是从所述第一凹槽的部分底表面往下刻蚀所述衬底形成，所述第二凹槽的侧壁相对所述第一凹槽的侧壁向内凹进预设长度；字线层，包括位于所述第二凹槽内的第一子部和位于所述第一凹槽内的第二子部；其中，所述第二子部的侧壁与所述第一凹槽的侧壁之间具有间隙；字线盖层，位于所述第一凹槽内且覆盖所述第二子部；其中，所述字线盖层内具有至少位于所述间隙处的气隙结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述预设长度与所述字线层的宽度的比值在1:7～1:4之间。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述字线盖层包括第一子层，位于所述第一子层上的第二子层以及夹设于所述第一子层和所述第二子层之间的所述气隙结构；其中，所述第一子层覆盖所述第一凹槽的侧壁及底表面、且覆盖所述第二子部的侧壁及上表面。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述字线盖层内的所述气隙结构从所述间隙处延伸至所述第二子部的上方，使所述第二子部的侧壁及上表面均被所述气隙结构包围。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，位于所述间隙处的气隙结构沿所述字线层延伸的方向具有均匀的第一宽度，所述第一宽度与所述字线层的宽度的比值在1:10～1:5之间。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，位于所述第二子部上方的气隙结构沿所述字线层延伸的方向具有均匀的第二宽度，所述第二宽度与所述字线层的宽度的比值在5:4～3:2之间。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，位于所述第二子部上方的气隙结构沿所述字线层延伸的方向具有均匀的第一高度，所述第一高度与所述字线层的高度的比值在1:20～1:10之间。8.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一子层和所述第二子层由相同的材料形成。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：介质层，所述介质层位于所述第二凹槽内，且覆盖所述第二凹槽的侧壁及底表面。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度小于所述预设长度。11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底内形成第一凹槽；从所述第一凹槽的部分底表面往下刻蚀所述衬底形成第二凹槽，所述第二凹槽的侧壁相对所述第一凹槽的侧壁向内...

【专利技术属性】
技术研发人员：王路广，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：