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本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底以及位于所述衬底内的第一凹槽和第二凹槽；其中，所述第二凹槽是从所述第一凹槽的部分底表面往下刻蚀所述衬底形成，所述第二凹槽的侧壁相对所述第一凹槽的侧壁向内凹进预设长度；字线...
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