半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构侧壁形成有伪侧墙，伪侧墙侧壁形成有接触孔刻蚀停止层，栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区；在源漏掺杂区和栅极结构的顶部上方形成牺牲介质层；形成源漏插塞，贯穿源漏掺杂区顶部上方的牺牲介质层并与源漏掺杂区相接触；刻蚀牺牲介质层直至露出伪侧墙的顶部；露出伪侧墙的顶部后，去除伪侧墙，在接触孔刻蚀停止层和栅极结构的侧壁之间形成间隙；形成填充于源漏插塞之间的顶部介质层，顶部介质层还填充于间隙中，或者，顶部介质层密封间隙的顶部，顶部介质层的材料介电常数小于伪侧墙的材料介电常数。本发明专利技术能够降低栅极结构和源漏插塞之间的有效电容。有效电容。有效电容。有效电容。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏博，吴汉洙，郑春生，郑二虎，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：