一种改善器件HCI效应的方法技术

本发明专利技术提供一种改善器件HCI效应的方法，包括提供衬底，并在衬底上形成栅极；在栅极的两侧形成第一侧墙；以栅极和第一侧墙为掩膜，在衬底中进行源漏离子注入并退火；利用湿法刻蚀工艺去除第一侧墙；以栅极为掩膜，在衬底中进行第一次LDD离子注入；在栅极的两侧形成厚度小于第一侧墙的第二侧墙；以栅极和第二侧墙为掩膜，在衬底中进行第二次LDD离子注入并退火。本发明专利技术将源漏离子注入并退火放到LDD离子注入并退火之前，消除了源漏区域退火工艺对LDD区域的影响，并减少了LDD区域退火热预算，而且利用侧墙先后进行两次LDD离子注入，降低了LDD离子浓度梯度，改善了HCI效应，并且本发明专利技术形成的侧墙宽度低于传统的侧墙宽度，增大了后续光刻工艺的窗口。后续光刻工艺的窗口。后续光刻工艺的窗口。

【技术实现步骤摘要】
atom/cm3，注入P型离子；或者，以能量为2
‑
50KeV，剂量为1E15
‑
1E16atom/cm3，注入N型离子。
[0017]优选地，所述P型离子为B、BF2或In，所述N型离子为P或As。
[0018]优选地，步骤三中所述退火的工艺条件为：退火温度为900℃
‑
1100℃，退火时间为不超过10s，退火气氛为N2。
[0019]优选地，步骤五和步骤七中所述LDD离子注入的注入能量为2
‑
120KeV，注入剂量为1E13
‑
5E15Atom/cm3，注入角度为0
‑
45
°
。
[0020]优选地，步骤五中所述第一次LDD离子注入之前还包括：以所述栅极为掩膜，在所述衬底中进行晕环注入的步骤。
[0021]优选地，步骤七中所述退火的工艺条件为：退火温度为850℃
‑
1100℃，退火时间为不超过10s，退火气氛为N2。
[0022]本专利技术在栅极制备完成以后，先形成第一侧墙(Spacer)并先本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善器件HCI效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，并在所述衬底上形成栅极；步骤二、在所述栅极的两侧形成第一侧墙；步骤三、以所述栅极和所述第一侧墙为掩膜，在所述衬底中进行源漏离子注入并退火；步骤四、利用湿法刻蚀工艺去除所述第一侧墙；步骤五、以所述栅极为掩膜，在所述衬底中进行第一次LDD离子注入；步骤六、在所述栅极的两侧形成厚度小于所述第一侧墙的第二侧墙；步骤七、以所述栅极和所述第二侧墙为掩膜，在所述衬底中进行第二次LDD离子注入并退火。2.根据权利要求1所述的改善器件HCI效应的方法，其特征在于，步骤一中所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的改善器件HCI效应的方法，其特征在于，步骤二中所述第一侧墙和步骤六中所述第二侧墙的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。4.根据权利要求1所述的改善器件HCI效应的方法，其特征在于，步骤二中所述第一侧墙和步骤六中所述第二侧墙采用化学气相沉积工艺或炉管工艺形成。5.根据权利要求1所述的改善器件HCI效应的方法，其特征在于，步骤三中所述源漏离子注入包括：先以能量为10
‑
50KeV，剂量为1E13
‑
5E15 atom/cm3，注入Ge、Si或In进行预非晶化处理；再以能量为2
‑
50KeV，剂量为1E15
...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢万里，何建禹，张广冰，赵正元，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：