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本发明提供一种改善器件HCI效应的方法，包括提供衬底，并在衬底上形成栅极；在栅极的两侧形成第一侧墙；以栅极和第一侧墙为掩膜，在衬底中进行源漏离子注入并退火；利用湿法刻蚀工艺去除第一侧墙；以栅极为掩膜，在衬底中进行第一次LDD离子注入；在栅极...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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