光电器件制造方法技术

本描述涉及一种光电器件制造方法，包括以下相继步骤：a)将包括三维半导体元件的多个无机发光二极管(L)形成在先前在半导体衬底的内部和顶部形成的集成控制电路(151)上；以及b)将有源光敏半导体层(161)沉积以填充在无机发光二极管之间侧向延伸的自由空间。光二极管之间侧向延伸的自由空间。光二极管之间侧向延伸的自由空间。

【技术实现步骤摘要】
光电器件制造方法


[0001]本公开一般涉及光电器件领域，并且更具体地，旨在制造兼备发光功能和光学捕捉功能的光电器件的方法。

技术介绍

[0002]各种应用很可能受益于兼备发光功能和光学捕捉功能的光电器件。这样的器件可以例如用于形成交互式显示屏。

技术实现思路

[0003]实施例的目的在于克服用于形成兼备发光功能和光学捕捉功能的光电器件的已知解决方案的全部或部分缺点。
[0004]为此目的，实施例提供了一种制造光电器件的方法，该方法包括以下连续步骤：
[0005]a)将包括三维半导体元件的多个无机发光二极管形成在先前在半导体衬底的内部和顶部形成的集成控制电路上；以及
[0006]b)将有源光敏半导体层进行沉积，以填充在无机发光二极管之间侧向延伸的自由空间。
[0007]根据实施例，每个三维半导体元件具有纳米级或微米级尺寸。
[0008]根据实施例，每个三维半导体元件具有角锥形。
[0009]根据实施例，每个三维半导体元件具有线形。
[0010]根据实施例，该方法包括：在有源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电器件制造方法，包括以下相继步骤：a)将包括三维半导体元件(103)的多个无机发光二极管(L)形成在先前在半导体衬底的内部和顶部形成的集成控制电路(151)上；以及b)将有源光敏半导体层(161；261)进行沉积，以完全填充在所述无机发光二极管(L)之间侧向延伸的所有自由空间。2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个三维半导体元件(103)具有纳米级尺寸或微米级尺寸。3.根据权利要求1所述的方法，其中，每个三维半导体元件(103)具有角锥形。4.根据权利要求1所述的方法，其中，每个三维半导体元件(103)具有线形。5.根据权利要求1所述的方法，包括：在所述有源光敏半导体层(161；261)中形成多个光敏二极管(D)。6.根据权利要求5所述的方法，包括：在步骤a)之前，将位于所述光敏二极管(D)的期望位置处的所述无机发光二极管(L)去除的步骤。7.根据权利要求1所述的方法，包括：在步骤a)之后且在步骤b)之前，形成在所述无机发光二极管(L)之间侧向延伸的开口(159、259、359)的步骤。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述开口(259)通过使用所述无机发光二极管(L)作为刻蚀掩模进行刻蚀来形成。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有源光敏半导体层(161；261)包括至少一种聚合物材料。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有源光敏半导体层(161；261)包括量子点。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗索瓦，
申请(专利权)人：原子能与替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：