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本描述涉及一种光电器件制造方法，包括以下相继步骤：a)将包括三维半导体元件的多个无机发光二极管(L)形成在先前在半导体衬底的内部和顶部形成的集成控制电路(151)上；以及b)将有源光敏半导体层(161)沉积以填充在无机发光二极管之间侧向延伸...
该专利属于原子能与替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能与替代能源委员会授权不得商用。

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