一种信号端子压接结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种信号端子压接结构，涉及信号端子技术领域，该结构包括：外壳、端子座和预设数量的信号端子，其中，所述信号端子为倒弓形，各个所述信号端子安装于所述端子座内，使各个所述信号端子的一端露出所述端子座的下表面；所述端子座安装于所述外壳内，所述外壳固定于半导体元器件的预设位置，使各个倒弓形信号端子露出所述端子座下表面的一端与所述半导体元器件的基板连接；通过信号端子形变，使倒弓形的信号端子的一端与半导体的基板产生一定压力，与半导体的基板紧密连接；该信号端子压接结构的制作难度较低，结构简单，可靠性高，能够有效的提高IGBT产品良率。能够有效的提高IGBT产品良率。能够有效的提高IGBT产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种信号端子压接结构


[0001]本技术涉及信号端子
，特别涉及一种信号端子压接结构。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)在新能源领域中发挥着至关重要的作用，是新能源领域的电机控制器、逆变器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。
[0003]IGBT模块包含与铜排连接的金属端子，金属端子连接IGBT模块上的直接覆铜陶瓷基板(Direct Bonding Copper，DBC)，形成有效电路；目前，IGBT的金属端子与DBC的连接主要是通过焊料烧结焊以及超声波摩擦焊的方式进行，由于烧结焊的工艺精度有限，焊接时会出现虚焊、端子焊接不平整的问题；由于金属端子与DBC垂直且紧密排列，使用超声波摩擦焊进行焊接需要对金属端子进行设计开模，工艺难度较大，因此，上述两种焊接方法会导致IGBT产品良率较低的问题。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种信号端子压接结构，以解决现有技术中采用烧结焊或超声波摩擦焊焊接信号端子，导致IGBT产品良率较低的问题。
[0005]基于上述技术问题，本技术实施例提供一种信号端子压接结构，包括：
[0006]外壳、端子座和预设数量的信号端子，其中，所述信号端子为倒弓形，各个所述信号端子安装于所述端子座内，使各个所述信号端子的一端露出所述端子座的下表面；
[0007]所述端子座安装于所述外壳内，所述外壳固定于半导体元器件的预设位置，使各个倒弓形信号端子露出所述端子座下表面的一端与所述半导体元器件的基板连接。
[0008]上述方案具有以下有益效果：
[0009]本技术的信号端子压接结构，将倒弓形的信号端子安装于端子座内，再将端子座安装于外壳内，外壳与半导体元器件固定连接，通过信号端子形变，使倒弓形的信号端子的一端与半导体的基板产生一定压力，与半导体的基板紧密连接；该信号端子压接结构的制作难度较低，结构简单，可靠性高，能够有效的提高IGBT产品良率。
[0010]可选的，所述信号端子包括：
[0011]第一端部、第一弯曲部、中间部、第二弯曲部和第二端部，所述第一弯曲部和所述第二弯曲部为S形，所述第一端部、所述第一弯曲部、所述中间部、所述第二弯曲部和所述第二端部依次连接构成所述倒弓形的信号端子。
[0012]可选的，所述第一端部设置有所述信号端子的第一限位结构，所述第一限位结构用于将所述第一端部卡接固定于所述端子座上；所述第二端部设置有所述信号端子的第二限位结构，所述第二限位结构用于将所述第二端部卡接固定于所述端子座上。
[0013]可选的，所述第一端部包括：
[0014]一体连接的第一分支和第二分支，其中，所述第一分支和所述第二分支均为矩形
结构，所述第一分支的宽度小于所述第二分支的宽度，所述第一分支的端面与所述第二分支的端面垂直连接处形成所述第一限位结构。
[0015]可选的，所述第二端部包括：
[0016]一体连接的第三分支和第四分支，其中，所述第三分支的宽度大于所述第四分支的宽度，所述第三分支的端面与所述第四分支的端面垂直连接处形成所述第二限位结构。
[0017]可选的，所述端子座内设置有所述预设数量的信号端子槽，各个所述信号端子分别安装于对应各个所述信号端子槽内。
[0018]可选的，所述信号端子槽包括：
[0019]槽底，所述槽底两端分别设置有第一限位面和第二限位面，所述第一限位面和所述第二限位面之间形成放置空间，用于放置所述第一弯曲部、所述中间部和所述第二弯曲部。
[0020]可选的，所述信号端子槽的槽底开设有第一开口，所述信号端子槽的顶部开设有第二开口，所述第一端部从所述第二开口穿出，所述第二端部从所述第一开口穿出；
[0021]所述第一弯曲部、所述中间部和所述第二弯曲部依次连接形成凹形结构，所述凹形结构的凸起面与所述第二限位面贴合。
[0022]可选的，所述端子座还包括：
[0023]用于通过所述外壳固定所述端子座的第一固定槽、第二固定槽和第三固定槽，其中，所述第一固定槽和所述第二固定槽位于所述端子座的中部，所述第一固定槽位于所述端子座的左侧，所述第二固定槽位于所述端子座的右侧，所述第三固定槽位于所述第一固定槽和所述第二固定槽的外侧。
[0024]可选的，所述外壳包括：
[0025]第一固定孔和第二固定孔，所述第一固定孔位于所述外壳的左侧，所述第二固定孔位于所述外壳的右侧，所述第一固定孔和所述第二固定孔用于通过铆钉与所述半导体元器件连接。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本技术一实施例中提供的一种信号端子压接结构示意图；
[0028]图2是本技术一实施例中提供的一种信号端子结构示意图；
[0029]图3是本技术一实施例中提供的一种信号端子安装于端子座的结构示意图；
[0030]图4是本技术一实施例中提供的一种端子座结构示意图；
[0031]符号说明如下：
[0032]1、外壳；11、第一固定孔；12、第二固定孔；2、端子座；21、信号端子槽；211、第一限位面；212、第二限位面；213、第一开口；214、第二开口；215、槽底；216、顶部；22、第一固定槽；23、第二固定槽；24、第三固定槽；3、信号端子；31、第一端部；311、第一分支；312、第二分支；313、第一限位结构；32、第一弯曲部；33、中间部；34、第二弯曲部；35、第二端部；351、第
三分支；352、第四分支；353、第二限位结构。
具体实施方式
[0033]为了使本技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步的详细说明。
[0034]应当理解，下面阐述的实施例代表了使本领域技术人员能够实施实施例并说明实施实施例的最佳模式的必要信息。在根据附图阅读以下描述后，本领域技术人员将理解本公开的概念并且将认识到这些概念在本文中未特别提及的应用。应当理解，这些概念和应用落入本公开和所附权利要求的范围内。
[0035]还应当理解，尽管本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元素，但是这些元素不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元素与另一个元素。例如，可以将第一元件称为第二元件，并且类似地，可以将第二元件称为第一元件，而不脱离本公开的范围。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。
[0036]还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦合”到另一个元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种信号端子压接结构，其特征在于，包括：外壳、端子座和预设数量的信号端子，其中，所述信号端子为倒弓形，各个所述信号端子安装于所述端子座内，使各个所述信号端子的一端露出所述端子座的下表面；所述端子座安装于所述外壳内，所述外壳固定于半导体元器件的预设位置，使各个倒弓形信号端子露出所述端子座下表面的一端与所述半导体元器件的基板连接。2.根据权利要求1所述的信号端子压接结构，其特征在于，所述信号端子包括：第一端部、第一弯曲部、中间部、第二弯曲部和第二端部，所述第一弯曲部和所述第二弯曲部为S形，所述第一端部、所述第一弯曲部、所述中间部、所述第二弯曲部和所述第二端部依次连接构成所述倒弓形的信号端子。3.根据权利要求2所述的信号端子压接结构，其特征在于，所述第一端部设置有所述信号端子的第一限位结构，所述第一限位结构用于将所述第一端部卡接固定于所述端子座上；所述第二端部设置有所述信号端子的第二限位结构，所述第二限位结构用于将所述第二端部卡接固定于所述端子座上。4.根据权利要求3所述的信号端子压接结构，其特征在于，所述第一端部包括：一体连接的第一分支和第二分支，其中，所述第一分支和所述第二分支均为矩形结构，所述第一分支的宽度小于所述第二分支的宽度，所述第一分支的端面与所述第二分支的端面垂直连接处形成所述第一限位结构。5.根据权利要求3所述的信号端子压接结构，其特征在于，所述第二端部包括：一体连接的第三分支和第四分支，其中，所述第三分支的宽度大于所述第四分支的宽度，所述第三分支的端面与...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宇航，刘杰，
申请(专利权)人：深圳芯能半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：