【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于背面处理的不同站支持特征的多站处理工具
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
技术介绍
[0002]本公开涉及用于背面处理的多站处理工具。
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
[0004]在一方面，提供了一种多站等离子体处理系统，其中该系统包括：第一处理站，其包括第一组支撑特征，该第一组支撑特征被配置为当衬底在第一处理站被处理时在第一组位置处将衬底支撑在衬底的背面上；以及第二处理站，其包括第二组支撑特征，所述第二组支撑特征被配置成当在第二处理站处处理衬底时在第二组位置处将衬底保持在衬底背面上，其中第一组位置与第二组位置是非重叠的。
[0005]在另一方...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多站等离子体处理系统，其包括：第一处理站，其包括第一组支撑特征，所述第一组支撑特征被配置为当在所述第一处理站处处理衬底时，在所述衬底的背面上的第一组位置处支撑所述衬底；以及第二处理站，其包括第二组支撑特征，所述第二组支撑特征被配置为当在第二处理站处处理所述衬底时将所述衬底保持在所述衬底的所述背面上的第二组位置处，其中所述第一组位置与所述第二组位置不重叠。2.根据权利要求1所述的多站等离子体处理系统，其中，所述第一处理站还包括第一喷淋基座，并且其中，所述第二处理站还包括第二喷淋基座。3.根据权利要求2所述的多站等离子体处理系统，其中，所述第一组支撑特征包括第一间隔件，所述第一间隔件被配置为以与所述第一喷淋基座成第一间隔开关系支撑所述衬底，并且其中，所述第二组支撑特征包括第二间隔件，所述第二间隔件被配置为以与所述第二喷淋基座的第二间隔开关系支撑所述衬底。4.根据权利要求2所述的多站等离子体处理系统，其中，所述第一处理站还包括第一气体歧管，所述第一气体歧管耦合到所述第一喷淋基座并且当所述衬底在第一处理站处被处理时提供来自第一气体源的第一气体，并且其中第二处理站还包括第二气体歧管，所述第二气体歧管耦合到第二喷淋基座并且当所述衬底在所述第二处理站被处理时提供来自第二气体源的第二气体。5.根据权利要求2所述的多站等离子体处理系统，其还包括至少一个射频(RF)电源，其被配置为当所述衬底由所述第一组支撑特征支撑时，向所述第一喷淋基座提供功率以产生用于在所述背面上沉积第一膜的等离子体，其中所述至少一个RF电源被配置为当所述衬底由所述第二组支撑特征支撑时，向所述第二喷淋基座提供功率以产生用于在所述衬底的所述背面上沉积第二膜的额外的等离子体。6.根据权利要求5所述的多站等离子体处理系统，其中，所述第一组位置与所述第二组位置不重叠，使得所述衬底的整个所述背面上面已经沉积了所述第一膜和所述第二膜中的至少一者。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的多站等离子体处理系统，其中，所述第一组支撑特征和所述第二组支撑特征各自包括至少三个充分间隔开以便以稳定方式支撑所述衬底的支撑特征。8.根据权利要求1
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6中任一项所述的多站等离子体处理系统，其还包括：至少一个旋转转位器，该旋转转位器被配置为将所述衬底从所述第一处理站传送到所述第二处理站。9.根据权利要求1
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6中任一项所述的多站等离子体处理系统，其还包括：至少一个旋转转位器，该旋转转位器被配置为：提升承载环，使得所述承载环与所述衬底接合并将所述衬底从所述第一组支撑特征中提升离开；将所述承载环和所述衬底从所述第一处理站传送到所述第二处理站；并且降低所述承载环，使得所述衬底搁置在所述第二组支撑特征上并且所述承载环与所述衬底脱离。10.一种用于处理标称直径为D的衬底的多站等离子体处理系统，其包括：具有第一组支撑特征的第一处理站；具有第二组支撑特征的第二处理站；以及
转位器，其被配置为围绕中心轴旋转，从而将所述衬底从所述第一处理站传送到所述第二处理站，其中：所述第一组支撑特征具有位于第一圆形区域内的第一组接触表面，该第一圆形区域具有第一直径D并且以所述第一处理站的第一中心点为中心，所述第二组支撑特征具有位于第...
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