基体的局部镀覆方法技术

本发明专利技术提供了为了制造集成电路板和引线框插件整形电路部件等电子、电气部件而在基体（单个基体以及将集成电路片的基体高度集成化的集合基体）上局部镀覆的方法。使用镀覆用催化剂对集合基体进行局部镀覆，在将装入多个基体的容器置于镀覆用催化剂溶液中进行浸渍的镀覆用催化剂施加工序之前或之后，设置在镀覆施工面或其以外的部分上用选自水溶性高分子材料或水解性高分子材料的被覆材料进行局部被覆的工序。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于对由合成树脂或其它材料构成的基体(除单个基体外，还包括由多个集成电路片的基体集合而成的集合基体)进行局部镀覆的方法，特别是关于在用于制造集成电路板、引线框插件整形电路等电子、电气元件的上述基体上进行局部镀覆的方法。以往，已知的在合成树脂基体(成形品)上局部镀覆的方法有(1)使成形品的表面粗化(例如腐蚀)，为了进行以Pd或Pt等为基础的镀覆而施加催化剂(触媒)，然后留出要镀覆的部分，采用丝网印刷法或分散涂布法等方法涂布保护性涂层，然后进行镀覆，除去保护性涂层；(2)将施加上述催化剂后的成形品插入金属模型中，向该金属模型内注入(注射)塑料或橡胶等(电绝缘材料)，将成形品上需要镀覆的部分以外的部分被覆，然后进行镀覆，必要时除去被覆材料。(参见株式会社シ-エムシ-发行“塑料成形加工的复合化技术”P260-275、专利公开第3 6825/1995号、专利公开第4092/1988号、专利申请第2592243公报等)。但是，在上述的第(1)种方法中，在涂布保护性涂层后，需要通过加热干燥等使保护性涂层固化的工序。另外，镀覆后除去保护性涂层时，还要使用二氯甲烷等有机溶剂，这些二氯甲烷等有机溶剂与含氯氟烃(CFC)等同样是破坏臭氧层的物质，如果废弃量增大，有可能导致皮肤癌和白内障增多，或者导致植物和浮游生物等生态系统的破坏。在上述的第(2)种方法中，由于被覆材料的附着力较低，镀覆液容易进入被覆材料与基体的界面，导致尺寸精度降低。另外，根据需要除去被覆材料时，也存在与上述保护性涂层同样的问题。而且，上述的第(1)和第(2)种方法，都是在成形品的整个表面上施加镀覆用的催化剂，因此，镀覆后即形成电路后的表面电阻值低下。本专利技术的目的是，提供在基体上进行局部镀覆的方法，该方法是在合成树脂或其它材料制成的基体上镀覆的方法，不需要保护性涂层的涂布、固化和去除工序，因此不必担心因有机溶剂而产生的环境问题，可以缩短工艺过程，而且，可以制成尺寸精度高、导电率高的高品质电子、电气部件。本专利技术的目的是通过使用水溶性高分子材料或水解性高分子材料作为被覆材料被覆需要镀覆的部分以外的部分而实现的。即，(1)本专利技术是关于，该方法是使用镀覆用催化剂在基体上进行局部镀覆的方法，其特征是，在将装入基体的容器在镀覆用催化剂溶液中浸渍而进行的施加镀覆用催化剂的工序之前或之后，设置在镀覆加工面或镀覆加工面以外的部分上用选自水溶性高分子材料和水解性高分子材料的被覆材料进行局部被覆的工序；此时，(2)所述基体可以是单个的基体，也可以是多个基体集合而成的集合基体(下文中提到“基体”时，如果没有特别说明，是指单个基体和集合基体)；另外，优选的是依次进行下列工序(3)①使基体表面粗化的工序，②使用选自水溶性高分子材料和水解性高分子材料的被覆材料对粗化表面进行局部被覆的工序，③在被覆面以外的表面上施加镀覆用催化剂的工序，④除去被覆材料的工序，⑤在施加了催化剂的表面上进行镀覆的工序；或者(4)①用选自水溶性高分子材料和水解性高分子材料的被覆材料对基体的表面进行局部被覆的工序，②使被覆面以外的表面粗化的工序，③在粗化面上施加镀覆用催化剂的工序，④除去被覆材料的工序，⑤在施加了催化剂的表面上进行镀覆的工序；或者(5)①使基体的表面粗化的工序，②施加镀覆用催化剂的工序，③用选自水溶性高分子材料和水解性高分子材料的被覆材料进行局部被覆的工序，④在被覆面以外的表面上进行镀覆的工序，⑤除去被覆材料的工序；或者(6)①使基体的表面粗化的工序，②施加镀覆用催化剂的工序，③镀覆工序，④使用选自水溶性高分子材料和水解性高分子材料的被覆材料进行局部被覆的工序，⑤除去被覆面以外的表面上的镀覆材料的工序，⑥除去被覆材料的工序。在上述第(3)和第(4)项所述的场合，也可以同时进行③镀覆用催化剂的施加工序和④被覆材料的除去工序。另外，在上述第(3)和第(4)项所述的场合，在③镀覆用催化剂的施加工序之后还可以增加一道预镀覆工序。此外，在上述第(5)项所述的场合，在⑤被覆材料的除去工序之后，还可以设置一道后镀覆工序。以下结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。附图说明图1(A)是表示本专利技术的实施例中使用的基体的形状的一个例子的立体图，图1(B)是图1(A)的局部剖示图。图2是表示在图1(A)的基体上施加被覆材料的一个例子的立体图。图3表示在图1(A)的基体上进行了化学镀覆的一个例子的立体图。图4是表示本专利技术的比较例中使用的基体的一个例子的示意图。图5是表示在图4的基体上施加被覆材料的一个例子的立体图。图6是表示本专利技术的其它实施例中使用的集合基体的形状的一个例子的立体图。图7(A)是表示在图6的集合基体上施加被覆材料的一个例子的立体图，图7(B)是图7(A)的α-α线剖开部分的说明图，图7(C)是图7(B)的局部剖示图。图8是表示图7(A)～图7(C)的施加了被覆材料场合的图6的集合基体上施加了镀覆的状态的局部剖示图。图9是表示将图8的施加了镀覆的集合镀覆制品切成各集成电路片的状态的立体图。采用上述本专利技术的方法，由于使用水溶性高分子材料或水解性高分子材料作为被覆材料，在除去该被覆材料时不需要使用有机溶剂，对于水溶性高分子材料可以使用水，而对于水解性高分子材料可以使用碱水溶液或酸液。这些高分子材料如果使用生物降解性材料，很容易被土壤中或水中的微生物分解成水和二氧化碳，不必担心环境污染，从基体上除去后的废弃处理也十分简单。另外，水溶性高分子材料或水解性高分子材料，与以往用来作为这类被覆材料的塑料或橡胶等相比，注射成形时的转印性(按照模型的形状成形的性质)要好得多，而且固化速度缓慢，因此，与基体(一般使用与被覆材料不同的材料)的界面结合力较高，可以形成尺寸精度高的镀层，得到高品质的局部镀覆制品。而且，这种水溶性高分子材料或水解性高分子材料最后可以从镀覆制品上除去，因而，这些高分子材料的被覆形状不受最终制品的形状和尺寸的限制，可以进行适合于专门的镀覆操作的设计，有利于最终制品的轻、薄和小型化。即，最终制品的形状和尺寸不受镀覆工序时的被覆材料的形状和尺寸的制约，可以在基体上任意被覆，因此可以在基体上形成立体图案的电路电极，从而使得电路电极等的集成电路片以及装备该集成电路片的各种电子、电气部件的设计自由度增大，可以进一步实现这些电子、电气部件的小型化和轻量化。在本专利技术中，由于未进行镀覆的部分上不会残留镀覆用催化剂，因而，镀覆后(即形成电路后)的绝缘电阻值升高，可以提高制品的电性能。基体在本专利技术的方法中，作为基体，除了热塑性树脂和热固性树脂等合成树脂外还可以使用由陶瓷、玻璃等无机材料构成的基体。优选的基体是芳香族类液晶聚合物、聚砜、聚醚型聚砜、聚芳砜、聚醚酰亚胺、聚酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚树脂、聚酰胺、改性聚苯醚树脂、降冰片烷树脂、酚醛树脂、环氧树脂等。更优选的是，耐热性和热膨胀系数在宽的温度范围内接近于金属、具有与金属膜同等的伸缩性、在热循环试验中具有与金属膜同等优异特性的聚酯类液晶聚合物。在这些基体中，作为填料还可以添加玻璃纤维、焦磷酸钙、硅灰石、碳酸钙、钛酸钡、碳纤维、石英纤维、硫酸钡等。基体可以是平板状的，也可以是加工成各种形状的成形品，另外，可以是单个的集成电路片，也可以是将若本文档来自技高网...

【技术保护点】
基体的局部镀覆方法，该方法是使用镀覆用催化剂在基体上进行局部镀覆的方法，其特征是，在将装入基体的容器在镀覆用催化剂溶液中浸渍而进行的施加镀覆用催化剂的工序之前或之后，设置在镀覆施工面或镀覆施工面以外的部分上用选自水溶性高分子材料和水解性高分子材料的被覆材料进行局部被覆的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤亮，
申请(专利权)人：伊藤亮，住友商事塑料株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]