本公开的实施例提供一种最大电压选择电路、芯片及电子设备。该最大电压选择电路包括：电压比较电路、第一和第二电平转换电路、第一和第二输出电路。电压比较电路比较第一和第二输入电压的大小以生成第一电压指示信号。第一电平转换电路根据第一电压指示信号生成第二电压指示信号。在第一电压指示信号处于高电平时，第二电压指示信号被转换成低电平。第二电平转换电路根据第二电压指示信号生成第三电压指示信号。在第二电压指示信号处于第一输入电压时，第三电压指示信号被转换成低电平。第一输出电路在第二电压指示信号处于低电平时输出第二输入电压，作为输出电压。第二输出电路在第三电压指示信号处于低电平时输出第一输入电压，作为输出电压。作为输出电压。作为输出电压。
【技术实现步骤摘要】
最大电压选择电路、芯片及电子设备
[0001]本公开的实施例涉及集成电路
，具体地，涉及最大电压选择电路、芯片及电子设备。
技术介绍
[0002]集成电路技术被广泛地应用于人们生活的方方面面。在实际芯片设计及应用中，某些芯片存在多电源供电的情况。考虑到芯片内部模块工作所需的电源电压范围及偏置的正确建立，在一些情况下需要为芯片内部模块及偏置提供多个电源中的最大电源。因此，期待一种最大电压选择电路能够自动为芯片选择最大供电电压。
技术实现思路
[0003]本文中描述的实施例提供了一种最大电压选择电路、芯片及电子设备。
[0004]根据本公开的第一方面，提供了一种最大电压选择电路。该最大电压选择电路包括：电压比较电路、第一电平转换电路、第二电平转换电路、第一输出电路、以及第二输出电路。其中，电压比较电路被配置为：比较来自第一输入端的第一输入电压和来自第二输入端的第二输入电压的大小以生成第一电压指示信号，并经由第一节点向第一电平转换电路提供第一电压指示信号。第一电平转换电路被配置为：根据第一电压指示信号来生成第二电压指示信号，并经由第二节点向第二电平转换电路和第一输出电路提供第二电压指示信号。其中，在第一电压指示信号处于低电平的情况下，第二电压指示信号被转换成第一输入电压。在第一电压指示信号处于高电平的情况下，第二电压指示信号被转换成低电平。第二电平转换电路被配置为：根据第二电压指示信号来生成第三电压指示信号，并经由第三节点向第二输出电路提供第三电压指示信号。其中，在第二电压指示信号处于低电平的情况下，第三电压指示信号被转换成第二输入电压。在第二电压指示信号处于第一输入电压的情况下，第三电压指示信号被转换成低电平。第一输出电路被配置为：在第二电压指示信号处于低电平的情况下从输出端输出第二输入电压，作为输出电压。第二输出电路被配置为：在第三电压指示信号处于低电平的情况下从输出端输出第一输入电压，作为输出电压。
[0005]在本公开的一些实施例中，电压比较电路包括：第一电流源、以及第一晶体管至第五晶体管。其中，第一电流源被配置为向第一晶体管提供第一电流。第一晶体管的控制极耦接第一晶体管的第二极和第一电流源。第一晶体管的第一极耦接第二电压端。第二晶体管的控制极耦接第一晶体管的控制极和第三晶体管的控制极。第二晶体管的第一极耦接第二电压端。第二晶体管的第二极耦接第四晶体管的控制极和第二极。第三晶体管的第一极耦接第二电压端。第三晶体管的第二极耦接第一节点和第五晶体管的第二极。第四晶体管的第一极耦接第一输入端。第五晶体管的控制极耦接第四晶体管的控制极。第五晶体管的第一极耦接第二输入端。
[0006]在本公开的一些实施例中，第一电平转换电路包括：第一反相器。其中，第一反相器的输入端耦接第一节点。第一反相器的输出端耦接第二节点。第一反相器的电源端耦接
第一输入端。
[0007]在本公开的一些实施例中，第二电平转换电路包括：第二反相器。其中，第二反相器的输入端耦接第二节点。第二反相器的输出端耦接第三节点。第二反相器的电源端耦接第二输入端。
[0008]在本公开的一些实施例中，第一输出电路包括：第六晶体管。其中，第六晶体管的控制极耦接第二节点。第六晶体管的第一极耦接输出端。第六晶体管的第二极耦接第二输入端。
[0009]在本公开的一些实施例中，第二输出电路包括：第七晶体管。其中，第七晶体管的控制极耦接第三节点。第七晶体管的第一极耦接输出端。第七晶体管的第二极耦接第一输入端。
[0010]根据本公开的第二方面，提供了一种最大电压选择电路。该最大电压选择电路包括：第一电流源、第一晶体管至第七晶体管、第一反相器、以及第二反相器。其中，第一电流源被配置为向第一晶体管提供第一电流。第一晶体管的控制极耦接第一晶体管的第二极和第一电流源。第一晶体管的第一极耦接第二电压端。第二晶体管的控制极耦接第一晶体管的控制极和第三晶体管的控制极。第二晶体管的第一极耦接第二电压端。第二晶体管的第二极耦接第四晶体管的控制极和第二极。第三晶体管的第一极耦接第二电压端。第三晶体管的第二极耦接第五晶体管的第二极。第四晶体管的第一极耦接第一输入端。第五晶体管的控制极耦接第四晶体管的控制极。第五晶体管的第一极耦接第二输入端。第一反相器的输入端耦接第五晶体管的第二极。第一反相器的输出端耦接第二反相器的输入端。第一反相器的电源端耦接第一输入端。第二反相器的输出端耦接第七晶体管的控制极。第二反相器的电源端耦接第二输入端。第六晶体管的控制极耦接第一反相器的输出端。第六晶体管的第一极耦接输出端。第六晶体管的第二极耦接第二输入端。第七晶体管的第一极耦接输出端。第七晶体管的第二极耦接第一输入端。
[0011]在本公开的一些实施例中，第一晶体管至第三晶体管是N型晶体管。第四晶体管至第七晶体管是P型晶体管。
[0012]根据本公开的第三方面，提供了一种芯片。该芯片包括：根据本公开的第一方面或第二方面所述的最大电压选择电路。
[0013]根据本公开的第四方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括：根据本公开的第三方面所述的芯片。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本公开的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制，其中：
[0015]图1是根据本公开的实施例的最大电压选择电路的示意性框图；以及
[0016]图2是根据本公开的实施例的最大电压选择电路的示例性电路图。
[0017]在附图中，最后两位数字相同的标记对应于相同的元素。需要注意的是，附图中的元素是示意性的，没有按比例绘制。
具体实施方式
[0018]为了使本公开的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本公开的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，也都属于本公开保护的范围。
[0019]除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开主题所属领域的技术人员所通常理解的相同含义。进一步将理解的是，诸如在通常使用的词典中定义的那些的术语应解释为具有与说明书上下文和相关技术中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的形式来解释，除非在此另外明确定义。如在此所使用的，将两个或更多部分“连接”或“耦接”到一起的陈述应指这些部分直接结合到一起或通过一个或多个中间部件结合。
[0020]在本公开的所有实施例中，由于金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源极和漏极是对称的，并且N型晶体管和P型晶体管的源极和漏极之间的导通电流方向相反，因此在本公开的实施例中，将MOS晶体管的受控中间端称为控制极，将MOS晶体管的其余两端分别称为第一极和第二极。另外，诸如“第一”和“第二”的术语仅用于将一个部件(或部件的一部分)与另一个部件(或部件的另一部分)区分开本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种最大电压选择电路，包括：电压比较电路、第一电平转换电路、第二电平转换电路、第一输出电路、以及第二输出电路，其中，所述电压比较电路被配置为：比较来自第一输入端的第一输入电压和来自第二输入端的第二输入电压的大小以生成第一电压指示信号，并经由第一节点向所述第一电平转换电路提供所述第一电压指示信号；所述第一电平转换电路被配置为：根据所述第一电压指示信号来生成第二电压指示信号，并经由第二节点向所述第二电平转换电路和所述第一输出电路提供所述第二电压指示信号，其中，在所述第一电压指示信号处于低电平的情况下，所述第二电压指示信号被转换成所述第一输入电压，在所述第一电压指示信号处于高电平的情况下，所述第二电压指示信号被转换成低电平；所述第二电平转换电路被配置为：根据所述第二电压指示信号来生成第三电压指示信号，并经由第三节点向所述第二输出电路提供所述第三电压指示信号，其中，在所述第二电压指示信号处于低电平的情况下，所述第三电压指示信号被转换成所述第二输入电压，在所述第二电压指示信号处于所述第一输入电压的情况下，所述第三电压指示信号被转换成低电平；所述第一输出电路被配置为：在所述第二电压指示信号处于低电平的情况下从输出端输出所述第二输入电压，作为输出电压；所述第二输出电路被配置为：在所述第三电压指示信号处于低电平的情况下从所述输出端输出所述第一输入电压，作为所述输出电压。2.根据权利要求1所述的最大电压选择电路，其中，所述电压比较电路包括：第一电流源、以及第一晶体管至第五晶体管，其中，所述第一电流源被配置为向所述第一晶体管提供第一电流；所述第一晶体管的控制极耦接所述第一晶体管的第二极和所述第一电流源，所述第一晶体管的第一极耦接第二电压端；第二晶体管的控制极耦接所述第一晶体管的所述控制极和第三晶体管的控制极，所述第二晶体管的第一极耦接所述第二电压端，所述第二晶体管的第二极耦接第四晶体管的控制极和第二极；所述第三晶体管的第一极耦接所述第二电压端，所述第三晶体管的第二极耦接所述第一节点和所述第五晶体管的第二极；所述第四晶体管的第一极耦接所述第一输入端；所述第五晶体管的控制极耦接所述第四晶体管的所述控制极，所述第五晶体管的第一极耦接所述第二输入端。3.根据权利要求1所述的最大电压选择电路，其中，所述第一电平转换电路包括：第一反相器，其中，所述第一反相器的输入端耦接所述第一节点，所述第一反相器的输出端耦接所述第二节点，所述第一反相器的电源端耦...
【专利技术属性】
技术研发人员：林克龙，肖飞，于翔，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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