信号接收器制造技术

本发明专利技术提供一种信号接收器，包含第一晶体管、第二晶体管、负载电路、放大电路以及负载电路。第一晶体管具有接收电源电压的第一端和接收第一输入信号的控制端。第二晶体管具有接收电源电压的第一端和接收第二输入信号的控制端，其中第一输入信号和第二输入信号为差分信号且在第一电压与参考接地电压之间变换，第一电压大于电源电压。负载电路耦接到第一晶体管和第二晶体管。放大电路根据第一晶体管的第二端上的第一信号和第二晶体管的第二端上的第二信号来产生输出信号。二信号来产生输出信号。二信号来产生输出信号。

【技术实现步骤摘要】
信号接收器


[0001]本专利技术涉及信号接收器，且更明确地说，涉及用于低电压差分信号(low voltage differential signals；LVDS)的具有宽共模电压范围的信号接收器。

技术介绍

[0002]用于处理低电压差分信号(LVDS)的信号接收器受到广泛使用。为节省功率消耗，信号接收器的电源电压通常减少，但输入信号可具有较高共模电压且信号失真在由信号接收器进行的信号处理中发生。在常规技术中，电平移位电路对于调节输入信号对的共模电压始终为必要的。如所述，较大线路大小和更多功率消耗对于信号接收器为必要的。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种用于处理低电压差分信号(LVDS)的具有宽共模电压范围的信号接收器。
[0004]根据本专利技术的实施例，信号接收器包含：第一晶体管、第二晶体管、放大电路以及负载电路。第一晶体管具有接收电源电压的第一端和接收第一输入信号的控制端。第二晶体管具有接收电源电压的第一端和接收第二输入信号的控制端，其中第一输入信号和第二输入信号为差分信号且在第一电压与参考接地电压之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种信号接收器，包括：第一晶体管，具有接收电源电压的第一端和接收第一输入信号的控制端；第二晶体管，具有接收所述电源电压的第一端和接收第二输入信号的控制端，其中所述第一输入信号和所述第二输入信号为差分信号且在第一电压与参考接地电压之间变换，所述第一电压大于所述电源电压；负载电路，耦接到所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端；以及放大电路，耦接到所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述第二端，且根据所述第一晶体管的所述第二端上的第一信号和所述第二晶体管的所述第二端上的第二信号来产生输出信号。2.根据权利要求1所述的信号接收器，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管为具有高于所述电源电压的耐电压的金属氧化物半导体场效应晶体管。3.根据权利要求2所述的信号接收器，其中所述第一晶体管的所述第一端为所述第一晶体管的漏极，所述第二晶体管的所述第一端为所述第二晶体管的漏极，且所述第一晶体管和所述第二晶体管形成共同漏极配置。4.根据权利要求1所述的信号接收器，其中所述负载电路包括：第一电流源，耦接于所述第一晶体管的所述第二端与所述参考接地电压之间，以用于从所述第一晶体管的所述第二端汲取第一电流；以及第二电流源，耦接于所述第二晶体管的所述第二端与所述参考接地电压之间，以用于从所述第二晶体管的所述第二端汲取第二电流。5.根据权利要求4所述的信号接收器，其中所述负载电路进一步包括：第一电阻器，耦接于所述第一晶体管的所述第二端与所述第一电流源之间，其中所述第一电阻器配置成确定所述第一信号的电压电平；以及第二电阻器，耦接于所述第二晶体管的所述第二端与所述第二电流源之间，其中所述第二电阻器配置成确定所述第二信号的电压电平。6.根据权利要求5所述的信号接收器，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器为可变电阻器。7.根据权利要求6所述的信号接收器，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器中的每一个包括：多个单位电阻器；以及多个开关，分别与所述单位电阻器串联耦接以形成多个电阻器和开关串，其中所述多个电阻器和开关串并联耦接，其中所述开关中的每一个根据调节信号的多个位来接通或切断。8.根据权利要求6所述的信号接收器，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器中的每一个包括：多个单位电阻器，串联耦接；以及多个开关，分别与所述单位电阻器并联耦接，其中所述多个开关中的每一个根据调节信号的多个位来接通或切断。9.根据权利要求5所述的信号接收器，进一步包括：第三电阻器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐浩哲，詹钦栋，林盈成，罗仁鸿，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：