信号接收器制造技术

本发明专利技术提供一种信号接收器，包含第一晶体管、第二晶体管、负载电路、放大电路以及负载电路。第一晶体管具有接收电源电压的第一端和接收第一输入信号的控制端。第二晶体管具有接收电源电压的第一端和接收第二输入信号的控制端，其中第一输入信号和第二输入信号为差分信号且在第一电压与参考接地电压之间变换，第一电压大于电源电压。负载电路耦接到第一晶体管和第二晶体管。放大电路根据第一晶体管的第二端上的第一信号和第二晶体管的第二端上的第二信号来产生输出信号。二信号来产生输出信号。二信号来产生输出信号。

【技术实现步骤摘要】
信号接收器


[0001]本专利技术涉及信号接收器，且更明确地说，涉及用于低电压差分信号(low voltage differential signals；LVDS)的具有宽共模电压范围的信号接收器。

技术介绍

[0002]用于处理低电压差分信号(LVDS)的信号接收器受到广泛使用。为节省功率消耗，信号接收器的电源电压通常减少，但输入信号可具有较高共模电压且信号失真在由信号接收器进行的信号处理中发生。在常规技术中，电平移位电路对于调节输入信号对的共模电压始终为必要的。如所述，较大线路大小和更多功率消耗对于信号接收器为必要的。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种用于处理低电压差分信号(LVDS)的具有宽共模电压范围的信号接收器。
[0004]根据本专利技术的实施例，信号接收器包含：第一晶体管、第二晶体管、放大电路以及负载电路。第一晶体管具有接收电源电压的第一端和接收第一输入信号的控制端。第二晶体管具有接收电源电压的第一端和接收第二输入信号的控制端，其中第一输入信号和第二输入信号为差分信号且在第一电压与参考接地电压之间变换，第一电压大于电源电压。负载电路耦接到第一晶体管和第二晶体管的第二端。放大电路耦接到第一晶体管和第二晶体管的第二端且根据第一晶体管的第二端上的第一信号和第二晶体管的第二端上的第二信号来产生输出信号。
[0005]总而言之，信号接收器提供第一晶体管和第二晶体管以共同漏极配置的形式进行操作。包含第一输入信号和第二输入信号的差分信号对可具有大于信号接收器的电源电压的第一共模电压，且第一输入信号和第二输入信号可分别通过第一晶体管和第二晶体管接收。负载电路配置成调节通过放大电路接收到的第一信号和第二信号的第二共模电压。如所述，放大电路可产生在电源电压与接地电压之间摆动的输出信号。
[0006]为更好地理解本专利技术的以上特征和优势，下文详细地描述随附附图的实施例。
附图说明
[0007]包含随附附图以提供对本专利技术的进一步理解，且随附附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出本专利技术的实施例，且与描述一起用于解释本专利技术的原理。
[0008]图1示出根据本公开的实施例的信号接收器的示意图。
[0009]图2示出根据本公开的另一实施例的信号接收器的示意图。
[0010]图3示出根据本公开的另一实施例的信号接收器的示意图。
[0011]图4示出根据本公开的另一实施例的信号接收器的示意图。
[0012]图5A和图5B示出根据本公开中的图3的实施例的可变电阻器的示意图。
[0013]附图标号说明
[0014]100、200、300、400：信号接收器；
[0015]110、210、310、410：放大电路；
[0016]120、220、320、420：负载电路；
[0017]211、311、411：第一放大器；
[0018]212、312、412：第二放大器；
[0019]330、430：有限状态机；
[0020]510、520：可变电阻器；
[0021]CM1：电压比较器；
[0022]CT1、CTN：位；
[0023]HV1：参考电压；
[0024]I_adj、R_adj：调节信号；
[0025]IBK：电流源组；
[0026]INN：第二输入信号；
[0027]INN1：第二信号；
[0028]INP：第一输入信号；
[0029]INP1：第一信号；
[0030]IS1、VIS1：第一电流源；
[0031]IS2、VIS2：第二电流源；
[0032]M1：第一晶体管；
[0033]M2：第二晶体管；
[0034]M3：第三晶体管；
[0035]M4：第四晶体管；
[0036]RA1、RAN：单位电阻器；
[0037]RBK：电阻器组；
[0038]Rc1、Rc2：电阻器；
[0039]SW1、SW2、SWN：开关；
[0040]V1：电源电压；
[0041]VCM、VCOM_R2R：共模电压；
[0042]VG：参考接地电压；
[0043]VO：输出信号；
[0044]VR1、R1：第一电阻器；
[0045]VR2、R2：第二电阻器。
具体实施方式
[0046]贯穿本申请的说明书(包含权利要求书)的术语“耦接(或连接)”广泛地使用，且涵盖直接和间接的连接或耦接构件。举例来说，如果本公开描述第一设备耦接(或连接)到第二设备，那么应理解为第一设备可直接地连接到第二设备，或第一设备可经由其它装置或由某一耦接构件间接地连接到第二设备。另外，贯穿本申请的说明书(包含权利要求书)提及的如“第一”和“第二”的术语仅用于命名元件的名称或区分不同实施例或范围，且并不意
图限制元件数目的上限或下限，不意图限制元件的顺序。此外，具有相同参考标号的元件/组件/步骤表示附图和实施例中的相同或类似部分。在不同实施例中具有相同参考标号的元件/组件/符号可参考相关描述。
[0047]请参考图1，所述图1示出根据本公开的实施例的信号接收器的示意图。信号接收器100包含第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、放大电路110以及负载电路120。第三晶体管M3具有接收信号接收器100的电源电压V1的第一端，第三晶体管M3具有接收参考接地电压VG的控制端以及第三晶体管M3具有耦接到第一晶体管M1的第一端的第二端。第四晶体管M4具有接收信号接收器100的电源电压V1的第一端，第四晶体管M4具有接收参考接地电压VG的控制端以及第四晶体管M4具有耦接到第二晶体管M2的第一端的第二端。
[0048]第一晶体管M1具有接收第一输入信号INP的控制端以及第一晶体管M1具有耦接到负载电路120的第二端。第二晶体管M2具有接收第二输入信号INN的控制端以及第二晶体管M2具有耦接到负载电路120的第二端。第一输入信号INP和第二输入信号INN形成差分信号对。在这一实施例中，第一输入信号INP和第二输入信号INN的共模电压(第一共模电压)可大于电源电压V1。
[0049]同样，在这一实施例中，第一晶体管M1和第二晶体管M2可为具有比信号接收器100中的其它晶体管更高的耐电压的金属氧化物半导体场效应晶体管。举例来说，如果电源电压V1为1.1伏，那么第一晶体管M1和第二晶体管M2的耐电压可为1.8伏。
[0050]负载电路120包含第一电流源IS1和第二电流源IS2。第一电流源IS1耦接于第一晶体管M1的第二端与参考接地电压VG之间。第二电流源IS2耦接于第二晶体管M2的第二端与参考接地电压VG之间。在这一实施例中，第一晶体管M1的第一端为漏极，第二晶体管M2的第一端为漏极且第一晶体管M1和第二晶体管M2均形成共同漏极配置。
[0051]另一方面，第一电流源IS1用以从第一晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种信号接收器，包括：第一晶体管，具有接收电源电压的第一端和接收第一输入信号的控制端；第二晶体管，具有接收所述电源电压的第一端和接收第二输入信号的控制端，其中所述第一输入信号和所述第二输入信号为差分信号且在第一电压与参考接地电压之间变换，所述第一电压大于所述电源电压；负载电路，耦接到所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端；以及放大电路，耦接到所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述第二端，且根据所述第一晶体管的所述第二端上的第一信号和所述第二晶体管的所述第二端上的第二信号来产生输出信号。2.根据权利要求1所述的信号接收器，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管为具有高于所述电源电压的耐电压的金属氧化物半导体场效应晶体管。3.根据权利要求2所述的信号接收器，其中所述第一晶体管的所述第一端为所述第一晶体管的漏极，所述第二晶体管的所述第一端为所述第二晶体管的漏极，且所述第一晶体管和所述第二晶体管形成共同漏极配置。4.根据权利要求1所述的信号接收器，其中所述负载电路包括：第一电流源，耦接于所述第一晶体管的所述第二端与所述参考接地电压之间，以用于从所述第一晶体管的所述第二端汲取第一电流；以及第二电流源，耦接于所述第二晶体管的所述第二端与所述参考接地电压之间，以用于从所述第二晶体管的所述第二端汲取第二电流。5.根据权利要求4所述的信号接收器，其中所述负载电路进一步包括：第一电阻器，耦接于所述第一晶体管的所述第二端与所述第一电流源之间，其中所述第一电阻器配置成确定所述第一信号的电压电平；以及第二电阻器，耦接于所述第二晶体管的所述第二端与所述第二电流源之间，其中所述第二电阻器配置成确定所述第二信号的电压电平。6.根据权利要求5所述的信号接收器，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器为可变电阻器。7.根据权利要求6所述的信号接收器，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器中的每一个包括：多个单位电阻器；以及多个开关，分别与所述单位电阻器串联耦接以形成多个电阻器和开关串，其中所述多个电阻器和开关串并联耦接，其中所述开关中的每一个根据调节信号的多个位来接通或切断。8.根据权利要求6所述的信号接收器，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器中的每一个包括：多个单位电阻器，串联耦接；以及多个开关，分别与所述单位电阻器并联耦接，其中所述多个开关中的每一个根据调节信号的多个位来接通或切断。9.根据权利要求5所述的信号接收器，进一步包括：第三电阻器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐浩哲，詹钦栋，林盈成，罗仁鸿，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：