【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体功率器件，更具体地，涉及一种功率半导体器件顶层金属层。
技术介绍
1、现有技术中，半导体功率器件的顶层金属层如果超过设定宽度，需要设置slot来减小应力，例如但不限于现有技术文件us7407835b2。可以理解的是，现有技术中也将slot称为“狭缝”。
2、如图1所示，功率半导体器件包括顶层金属100，顶层金属100设置有pad 200和狭缝300，狭缝300多以4.1μm*30μm或4.1μm*25μm整齐排列分布，导致有些地方电流密度过大，超过本身金属的电流能力，可能导致局部烧坏，导致发生em(electro migration，电迁移)。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的不足，本技术提供一种功率半导体器件的顶层金属层，使电流很均匀，达到理想的电流密度。
2、本技术采用如下的技术方案。本技术第一方面提供了一种功率半导体器件的顶层金属层，所述顶层金属层设置有狭缝；所述顶层金属层包括一区域，所述区域中设置有多个狭缝，且所述多个狭缝在所述区域中均匀分布；
3、所述多个狭缝的形状均为正多边形。
4、优选地，所述至少一部分狭缝的形状为正方形。
5、优选地，当顶层金属层线宽宽度大于16μm时，最小间距为4.1μm，所述正方形的边长不小于4.1μm。
6、优选地，所述正方形狭缝的尺寸为5μm*5μm。
7、优选地，至少在pad和/或金属拐角处设置正多边形狭缝。
8、优选地，
9、优选地，多个狭缝为多种形状狭缝的组合。
10、本技术第二方面提供了一种功率半导体器件，包括所述的一种功率半导体器件的顶层金属层。
11、与现有技术相比，本技术的有益效果至少包括：正方形的slot以菱形方式排布，尤其在pad周围，金属拐角处以及不清楚电流走向的时候，都使用正方形slot，使电流很均匀，达到理想的电流密度。
12、并且针对覆铜工艺使用5μm*5μm通孔作为铜和顶层金属的连接，这种情况使用5μm*5μm的slot，仅使得版图操作更加快捷，而且可以打下更多的通孔，减小功率半导体器件的电流密度以及功率半导体器件的等效电阻rdson
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1.一种功率半导体器件的顶层金属层，所述顶层金属层设置有狭缝；其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的顶层金属层，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的一种功率半导体器件的顶层金属层，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件的顶层金属层，其特征在于：
5.根据权利要求2至4中任一项所述的一种功率半导体器件的顶层金属层，其特征在于：
6.根据权利要求2至4中任一项所述的一种功率半导体器件的顶层金属层，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的顶层金属层，其特征在于：
8.一种功率半导体器件，其特征是，包括根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的顶层金属层。
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件的顶层金属层，所述顶层金属层设置有狭缝；其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件的顶层金属层，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的一种功率半导体器件的顶层金属层，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件的顶层金属层，其特征在于：
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：张港生，白玉芳，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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