一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管，该外延结构将第二缓冲层分为二段，第二段的Si掺杂浓度低于第一段的Si掺杂浓度，且多量子阱层包括第一多量子阱层及置于其上的第二多量子阱层，所述第一多量子阱层的Si掺杂浓度低于所述第二多量子阱层的Si掺杂浓度且高于所述第二缓冲层的Si掺杂浓度。本发明专利技术通过调整N型半导体层至P型半导体层之间Si浓度曲线的变化，既改善LED的电性能又可以减少对MQW晶体质量的影响，从而提升LED发光效率。从而提升LED发光效率。从而提升LED发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体发光二极管
，特别涉及一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管。

技术介绍

[0002]GaN材料是一种第三代半导体材料，其具有较宽的禁带宽度，其禁带宽度为Eg=3.36eV，可用于制作从紫光到红光的发光二极管（LED）等半导体电子器件，广泛用于信号灯、车灯、景观及室内照明光源、显示屏等领域，是一种高效环保的新型固态照明光源。
[0003]LED的核心结构是由一组InGaN/GaN材料组成的MQW结构，生长的n型GaN与p型GaN分别提供电子与空穴于MQW结构中复合发光。但由于InGaN与GaN材料的晶格常数不匹配，导致在n型GaN上生长MQW层时，晶体质量偏差，严重影响发光效率；目前主流的技术是在n型GaN与MQW层中间，插入一层InGaN/GaN SLS结构缓冲层，并且缓冲层是有通入一定量的Si杂质。但由于通入过多的Si杂质，会导致晶体质量更差，影响发光亮度；且越接近MQW生长的地方，对MQW的晶体质量影响更严重。r/>[0004]公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有缓冲层的外延结构，包括衬底（1），以及依次位于衬底（1）上的U型GaN层（2）、N型GaN层（3）、第一缓冲层（4）、第二缓冲层（5）、多量子阱层（6）、低温p型GaN层（7）、p型阻挡层（8）及高温P型GaN层（9）；其特征在于，所述第二缓冲层（5）分为二段，靠近所述多量子阱层（6）的第二段的Si掺杂浓度低于远离所述多量子阱层（6）的第一段的Si掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述多量子阱层（6）包括第一多量子阱层（61）及生长在第一多量子阱层（61）上的第二多量子阱层（62），其中，所述第一多量子阱层（61）的Si掺杂浓度低于所述第二多量子阱层（62）的Si掺杂浓度且高于所述第二缓冲层（5）中第二段的Si掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述第二缓冲层（5）为InGaN/GaN超晶格结构，周期为2
‑
6；和/或，所述第一缓冲层（4）为InGaN/GaN超晶格结构，周期为1
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5。4.根据权利要求3所述的外延结构，其特征在于，所述第一缓冲层（4）中InGaN层的厚度为2
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3nm；和/或，所述第二缓冲层（5）中InGaN层的厚度为2
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3nm；和/或，所述第二缓...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭园，王淑姣，吕腾飞，宋长伟，展望，芦玲，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：