高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的N

【技术实现步骤摘要】
高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

[0002]目前，对于GaN基LED而言，其主要发光层域为InGaN量子阱层，在外延工艺中通过调控InGaN量子阱层的In组分来调控发光波长，如要想获得发光波长更长的光，就必须提高量子阱层的In组分，也就要在外延过程中使量子阱层掺入更多的In。但由于衬底和外延层采用异质材料，两者的晶格失配相差较大，这种晶格失配的存在会在材料中引入穿透位错，这种位错除非受到阻挡或外力而发生弯曲外，通常会笔直的向上延伸穿透整个材料结构，当它延伸到多量子阱层时，会导致多量子阱晶体质量下降和较大的晶格失配，会减少In的并入，从而减少了发光效率，同时随着In量的增加，量子阱垒的晶格失配率不断的上升，压电极化效应也不断的增强，从而引起发光效率的不断下降，非辐射复合不断的增加，造成光电性能下降。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种高光效发光二极管外延片及其制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高光效发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次设于所述衬底上的N
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GaN层、应变调控层、多量子阱层和P
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GaN层，所述应变调控层为周期性结构，周期数≥5，每个周期均包括层叠设置的AInGaN层和AlInGaN层；其中，A为B、Mg或Zn中的一种或多种。2.如权利要求1所述的高光效发光二极管外延片，其特征在于，所述AInGaN层中，A组分占比为0.01～0.05，In组分占比为0.01～0.06；所述AlInGaN层中，Al组分占比为0.01～0.1，In组分占比为0.05～0.12。3.如权利要求1所述的高光效发光二极管外延片，其特征在于，所述应变调控层的周期数为20～100；单个所述AInGaN层的厚度为5
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20nm，单个所述AlInGaN层的厚度为50
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70nm。4.如权利要求1所述的高光效发光二极管外延片，其特征在于，所述AInGaN层为BInGaN层，其中，B组分的占比为0.02～0.04，In组分的占比为0.03～0.06。5.如权利要求1所述的高光效发光二极管外延片，其特征在于，应变调控层中AInGaN层的厚度沿外延片生长方向呈恒定、递增变化或递减变化；应变调控层中的AlInGaN层的厚度沿外延片生长方向呈恒定、递增变化或递减变化。6.如权利要求1所述的高光效发光二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文杰，程龙，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：