一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，其包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

[0002]最早的外延片结构直接在N型半导体层上生长多量子阱会导致发光效率低，抗静电能力差，为了改善该结构的缺陷，现有的外延片结构在N型半导体层和多量子阱中间插入一个低温应力释放层，该应力释放层为InGaN层，但是多量子阱中电子和空穴不平衡现象和量子阱缺陷多，依然存在发光效率低的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，可以有效释放底层应力，使多量子阱区的电子空穴分布均匀，提升电子的扩展能力，提高发光二极管的发光效率和抗静电能力。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术公开了一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N
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GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P
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GaN层；所述N
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GaN层和多量子阱层之间设有缓冲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N
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GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P
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GaN层；其特征在于，所述N
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GaN层和多量子阱层之间设有缓冲层，所述缓冲层包括依次设于所述N
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GaN层上的MgN三维诱导层、SiGaN三维层和填平层。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述MgN三维诱导层为Mg
x
N1‑
x
层，其中，x的取值范围为0.1
‑
0.3；所述SiGaN三维层中Si的掺杂浓度为1
×
10
16
‑1×
10
18
cm
‑3；所述SiGaN三维层中Si的掺杂浓度＜所述N
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GaN层中Si的掺杂浓度。3.如权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述MgN三维诱导层的厚度为2
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5nm；所述SiGaN三维层的厚度为20
‑
50nm，直径为10
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30nm；所述填平层的厚度为20
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50nm；所述填平层的厚度＞所述SiGaN三维层的厚度。4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N
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GaN层和所述MgN三维诱导层之间设有BN层；所述BN层为B
y
N1‑
y
层，其中，y的取值范围为0.2
‑
0.4；所述BN层的厚度为10
‑
20nm；所述BN层和所述MgN三维诱导层之间设有石墨烯层；所述石墨烯层的厚度为20
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30nm；所述填平层为AlGaN层。5.一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1

【专利技术属性】
技术研发人员：张彩霞，印从飞，程金连，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：