【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
1、近年来发光二极管芯片工艺在各大厂商竞争下快速发展，被广泛的应用于通用照明、特种照明、直显显示屏、背光显示屏、车灯等各个领域。
2、倒装发光二极管芯片以背面出光、散热能力强、焊接性好、推力大、可靠性强等优点被广泛应用. 为了提升倒装发光二极管芯片的亮度，人们提出将条状第一导电金属层改为点状第一导电金属层，然后再在点状第一金属层之上制备布拉格反射层，然后再制备条状第二金属层将多个点状的第一导电金属层连接，如此一来，便可以减少条状第一导电金属层面积，减少第一导电金属层对光线的吸收，从而提升倒装发光二极管芯片的亮度。
3、现有技术中，现有的倒装发光二极管芯片中，通过将若干个点状的第一导电金属层与一条状的第二导电金属层连接，当驱动此倒装发光二极管芯片时，就会存在多个点状导电层抢电流的问题，造成电流扩散不均，造成芯片耐大电流冲击能力差，即需要通过制备若干个条第二导电金属层与第一导电金属层连接，但是需要制备若干个第二导电金属层，前提是第二导电层上...
【技术保护点】
1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层包括自下而上依次设置在所述衬底上的N型GaN层、有源发光层、P型GaN层以及电流扩展层。
3.根据权利要求2所述的一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述第一半导体层的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述第一导电金属层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层包括自下而上依次设置在所述衬底上的n型gan层、有源发光层、p型gan层以及电流扩展层。
3.根据权利要求2所述的一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述第一半导体层的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述第一导电金属层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备所述布拉格反射层以及所述布拉格反射通孔的步骤包括：
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文涛，邹燕玲，张存磊，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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