一种无光刻LED芯片背面图形化及粗化工艺及LED芯片制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体公开一种无光刻LED芯片背面图形化及粗化工艺及LED芯片，该背面图形化及粗化工艺包括：提供外延片；采用第一研磨件对所述外延片的背面进行一次研磨，直至所述外延片的厚度减薄至预设厚度，且外延片的背面形成凹凸起伏的粗糙面；在所述粗糙面表面蒸镀金属镀层，并进行退火处理，所述金属镀层的厚度小于所述粗糙面的表面粗糙度，以使金属镀层的表面形成凹凸起伏的金属粗糙表面；采用第二研磨件对所述金属粗糙表面的凸起尖角处进行二次研磨，直至所述金属粗糙表面的凸起尖角处被磨至露出所述粗糙面，所述粗糙面露出的区域形成待粗化面；采用粗化液粗化所述待粗化面。整体工艺流程简单快捷，易于生产制造，无需黄光作业流程和湿法刻蚀流程，有效缩短生产周期，降低生产成本，且能够避免因背面涂胶曝光显影对片源的厚度要求所带来的碎片风险，增加生产良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种无光刻led芯片背面图形化及粗化工艺及led芯片。

技术介绍

1、随着led行业日益成熟和完善，市场对于芯片的亮度和成本的要求越来越高，而背面粗化是芯片提亮的一种重要的工艺技术，目前的背面图形化及粗化工艺通常需要结合光刻实现，参见图7及图8所示，具体步骤如下：1)在已经背面蒸镀有金属电极的外延片的正面及背面涂覆介质层；2)在正面及背面的介质层外侧涂覆光刻胶；3)进行背面曝光显影，以在背面形成图案，再使用金蚀刻液对背面图案进行湿法刻蚀，利用金蚀刻液将显影后露出的金属电极蚀刻掉，实现图形转移；4)去除正面及背面的光刻胶、介质层；5)切割成芯粒，并使芯粒背面朝上放置在蓝膜上，使用粗化液对芯粒的背面进行粗化，使得外延片在背面金属电极被蚀刻后裸露出的区域被粗化。

2、整个背面粗化流程较长，需要增加一次黄光作业和金湿法腐蚀工序，作业时间长，且黄光作业和金蚀刻液成本高，增加了芯粒的生产成本。此外，背面涂胶曝光显影对片源的厚度或黄光机台的参数有要求，对于厚度较薄的片源来说(小尺寸的led芯粒通常厚度较薄，如mini和micro本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无光刻LED芯片背面图形化及粗化工艺，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种无光刻LED芯片背面图形化及粗化工艺，其特征在于，所述第一研磨件为粗磨砂轮，所述第二研磨件为细磨砂轮，所述粗磨砂轮的目数小于所述细磨砂轮的目数。

3.根据权利要求2所述的一种无光刻LED芯片背面图形化及粗化工艺，其特征在于，所述粗磨砂轮的目数为600目～3000目，所述细磨砂轮的目数为3000目～6000目。

4.根据权利要求2所述的一种无光刻LED芯片背面图形化及粗化工艺，其特征在于，在所述一次研磨及所述二次研磨步骤中，所述粗磨砂轮的给进压力大于所述细磨砂轮...

【技术特征摘要】

1.一种无光刻led芯片背面图形化及粗化工艺，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种无光刻led芯片背面图形化及粗化工艺，其特征在于，所述第一研磨件为粗磨砂轮，所述第二研磨件为细磨砂轮，所述粗磨砂轮的目数小于所述细磨砂轮的目数。

3.根据权利要求2所述的一种无光刻led芯片背面图形化及粗化工艺，其特征在于，所述粗磨砂轮的目数为600目～3000目，所述细磨砂轮的目数为3000目～6000目。

4.根据权利要求2所述的一种无光刻led芯片背面图形化及粗化工艺，其特征在于，在所述一次研磨及所述二次研磨步骤中，所述粗磨砂轮的给进压力大于所述细磨砂轮的给进压力，所述粗磨砂轮的砂轮转速大于所述细磨砂轮的砂轮转速。

5.根据权利要求4所述的一种无光刻led芯片背面图形化及粗化工艺，其特征在于，所述粗磨砂轮的给进压力为20kgf/cm2～100kgf/cm2，砂轮转速为2500rpm～4000rpm；所述细磨砂轮的给进压力为1kgf/cm2～20kgf/c...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁根豪，张维国，曹广亮，徐洲，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：