一种倒装发光二极管芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片包括：衬底以及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层、电流扩展层、第一绝缘层、布拉格反射层、金属反射层、第二绝缘层、连接金属层、第三绝缘层以及焊盘层；所述连接金属层包括自下而上依次设置的反射层以及保护层，所述保护层包括自下而上依次设置的第一保护母层、第二保护母层以及第三保护母层，其中所述第二保护母层包括n个周期性层叠设置的第一保护子层以及第二保护子层；所述第一保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层逐渐增大，所述第二保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层逐渐减小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法。

技术介绍

1、近年来发光二极管芯片工艺在各大厂商竞争下快速发展，被广泛的应用于通用照明、特种照明、直显显示屏、背光显示屏、车灯等各个领域。

2、倒装发光二极管芯片有着更高的颜色对比度、亮度、色域，更高的寿命和更薄的厚度，更是具有耐大电流冲击、可靠性高、光效高、背面出光、散热能力强、焊接性好、可靠性强等优点被广泛应用。

3、现有技术中，现有的倒装发光二极管芯片工艺制备过程中第三绝缘层开孔的制备方法为干法刻蚀的工艺制备，无法使用湿法腐蚀的工艺制备，因为湿法腐蚀会造成对连接电极底部反射金属al的腐蚀，造成al空洞及鼓泡，最终影响所述倒装发光二极管芯片的光电性能及可靠性，且第三绝缘层开孔利用干法刻蚀的方法需要单独对第三绝缘层需要开孔的区域进行光刻。

技术实现思路

1、基于此，本专利技术的目的是提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，可以优先解决上述现有技术中的不足。

2、一种倒装发光二极管芯片，包括：

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【技术保护点】

1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述反射层的材质为金属Al，所述反射层的厚度大于1200Å。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护母层的材质为金属Cr，所述第一保护母层的厚度大于5000Å。

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第二保护母层的周期n≥3。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护子层的材质为金属Ni，所述第一保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层依次增大200Å-500Å。...

【技术特征摘要】

1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述反射层的材质为金属al，所述反射层的厚度大于1200å。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护母层的材质为金属cr，所述第一保护母层的厚度大于5000å。

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第二保护母层的周期n≥3。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护子层的材质为金属ni，所述第一保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层依次增大200å-500å。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文涛，邹燕玲，张存磊，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：