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本发明涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管，该外延结构将第二缓冲层分为二段，第二段的Si掺杂浓度低于第一段的Si掺杂浓度，且多量子阱层包括第一多量子阱层及置于其上的第二多量子阱层，所述第一多量...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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