发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次生长于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述有源层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的势阱层、过渡层和势垒层；所述过渡层包括WS2层。实施本发明专利技术，可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力和波长均匀性。和波长均匀性。和波长均匀性。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

[0002]目前，GaN基发光二极管是目前应用最广泛的发光二极管，其有源区一般为InGaN势阱层和GaN势垒层周期性层叠组成的复合结构。传统的有源区存在以下问题：(1)有源区由于高In组分，In原子很大，并且有源区生长温度低，导致有源区晶格质量很差，形成漏电通道，影响抗静电能力，并且缺陷会作为非辐射复合中心，影响发光效率。(2)由于势阱层InGaN材料和势垒层GaN材料异质结间存在严重的晶格失配，导致势阱层受到压电极化产生能带倾斜，从而导致电子和空穴在空间上分离而影响发光效率，并且引起了在注入不同大小电流下，发光波长差异大的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，其可有效提升发光二极管的发光效率、抗静电能力和波长均匀性。
[0004]本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管，其发光效率高，抗静本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次生长于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述有源层为周期性结构，其周期数≥2；每个周期均包括依次层叠的势阱层、过渡层和势垒层；所述过渡层包括WS2层。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述WS2层的厚度为1
‑
10nm。3.如权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述过渡层包括依次层叠的In
x
Ga1‑
x
N层和WS2层；所述势阱层为In
y
Ga1‑
y
N层，x＜y。4.如权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，x为0.01
‑
0.3，y为0.1～0.5；所述In
x
Ga1‑
x
N层的厚度为0.1
‑
3nm。5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述势阱层的厚度为2
‑
5nm，所述势垒层的厚度为6
‑
12nm。6.一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1～5任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，包括：提供衬底，依次在所述衬底上生长形核层、本征GaN层、N型GaN层、有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彩霞，印从飞，程金连，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：