一种单晶炉及其单晶换热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种单晶炉及其单晶换热装置，其中，该单晶换热装置，包括：设置于导流筒的水冷热屏，该单晶换热装置还包括：设置于水冷热屏的内壁的管路冷却装置。在本方案中，通过在水冷热屏的内壁增设管路冷却装置，以便于加大晶棒结晶潜热释放速率，有助于进一步提升单晶的等径拉速，从而有利于解决了单晶等径生长速度受限，等径拉速无法突破2.0mm/min的技术瓶颈。min的技术瓶颈。min的技术瓶颈。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉及其单晶换热装置


[0001]本技术涉及单晶制造
，特别涉及一种单晶炉及其单晶换热装置。

技术介绍

[0002]目前直拉法制备太阳能用单晶硅过程中，为了提升单位时间的产出量，提升单晶硅生长速度是需要克服的关键问题。单晶硅生长速度受结晶界面附近的晶体的纵向温度梯度影响比较大，结晶界面附近的晶体的温度梯度越大，单晶硅生长越快。由于硅从液态转化为固态需要释放大量的热，目前主要通过水冷热屏结构为晶体散热。随着多年技术发展迭代，直拉单晶等径拉速得到进一步提升，目前等径拉速发展遇到瓶颈，无法突破2.0mm/min以上等径拉速。
[0003]对此，通过水冷热屏加高大口结构，内部采用遍布小凹坑结构或者内部采用增加散热片的方式实现受热面积增加效果，但是无法突破当前等径拉速技术瓶颈，现实使用效果达不到预期值。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术提供了一种单晶换热装置，通过在水冷热屏的内壁增设管路冷却装置，以便于加大晶棒结晶潜热释放速率，有助于进一步提升单晶的等径拉速，从而有利于解决了单晶等径生长速度受限，等径拉速无法突破本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶换热装置，包括：设置于导流筒(9)的水冷热屏(13)，其特征在于，还包括：设置于所述水冷热屏(13)的内壁的管路冷却装置。2.根据权利要求1所述的单晶换热装置，其特征在于，所述管路冷却装置包括支路冷却装置；所述支路冷却装置的进水端与所述水冷热屏(13)的主进水管(1)连接，回水端与所述水冷热屏(13)的主回水管(2)连接。3.根据权利要求2所述的单晶换热装置，其特征在于，所述支路冷却装置包括支路冷却进水管(6)、支路冷却水管(8)和支路冷却回水管(7)；所述支路冷却水管(8)设置于所述水冷热屏(13)的内壁，且进水端与所述支路冷却进水管(6)的出水端连接，出水端与所述支路冷却回水管(7)的进水端连接；所述支路冷却进水管(6)的进水端与所述水冷热屏(13)的主进水管(1)连接；所述支路冷却回水管...

【专利技术属性】
技术研发人员：周涛，王新强，秦现东，杨政，
申请(专利权)人：双良硅材料包头有限公司，
类型：新型
国别省市：