单晶炉及单晶硅的制备方法技术

本发明专利技术公开了单晶炉及单晶硅的制备方法，单晶炉，包括单晶炉磁场装置、顶推控制杆，所述单晶炉磁场装置通过顶推控制杆进行升降控制，且单晶炉磁场装置通过设置的微调辅助机构进行位置微调；本发明专利技术设计单晶炉及相应的单晶硅制备方法，对于单晶炉磁场装置通过设置的承载环、微调辅助机构和锁定机构之间的配合使用，对于单晶炉磁场装置能够进行微调工作，进行微调修正，避免造成位置调控产生偏差，给单晶炉的使用提供便捷，提升单晶硅加工的工作质量，能够满足实际使用需求。能够满足实际使用需求。能够满足实际使用需求。

【技术实现步骤摘要】
单晶炉及单晶硅的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体为单晶炉及单晶硅的制备方法。

技术介绍

[0002]单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备；且随着半导体产业的迅速发展，对于高纯度、高完整性、高均匀性的大直径硅单晶的需求大大增加，这就要求在硅单晶的生长中减少单晶材料的缺陷、杂质含量，提高氧和碳等杂质的均匀性；目前在大直径硅单晶的生长中，在熔体空间内引入磁场是一种较为有效的方法，该方法能够有效控制熔体中的各种对流，减少晶体杂质以及提高杂质的分布均匀性。
[0003]现有公告号为CN208562587U、公开日为20190301的中国专利文件公开了一种半导体单晶炉磁场装置升降装置，其针对现有技术中，分别采用三套T型丝杆减速升降机、圆柱导向轴、伺服电机等控制磁场装置的升降，存在着三轴不同步、升降有振动和异音的缺点，不仅对长晶产生一定的不利影响，导致制造成本高的问题进行改进和优化；即通过升降连接座的一端与磁场装置固定连接，另一端能够在导轨内上下移动，实现了采用一个减速电机控制四个减速升降机的同步运动，既有效解决了现有技术中磁场装置升降不同步所导致的升降振动和噪音的问题，又有效降低了生产制造成本。
[0004]上述方案以及现有技术中单晶炉设备上的磁场装置通过控制伸缩杆进行升降调整位置时，调整过程中产生的震动和控制不精准的问题，造成位置调控具有偏差，没有相应的调控辅助机构进行微调修正，给其工作带来不便，不能满足实际使用需求。
[0005]为此，本专利技术提出单晶炉及单晶硅的制备方法用于解决上述问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供单晶炉及单晶硅的制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：单晶炉，包括单晶炉磁场装置、顶推控制杆，所述单晶炉磁场装置通过顶推控制杆进行升降控制，且单晶炉磁场装置通过设置的微调辅助机构进行位置微调，所述顶推控制杆对称固定设置在承载环的底端，且承载环上连接设置有微调辅助机构；
[0008]所述微调辅助机构包含有活动环、凸环、调控手柄、弧形传动斜槽、支撑杆、连接盘、辅助弹簧，且微调辅助机构通过设置的锁定机构进行锁定；
[0009]所述锁定机构包含有锁定圆槽、第一磁片、固定体、活动定位杆、连接板、第二磁片、复位弹簧、拉扣。
[0010]优选的，所述顶推控制杆共设置有四组。
[0011]优选的，所述活动环活动设置在承载环中，且活动环的外侧壁固定设置有凸环，所述凸环延伸至承载环的外侧，且凸环的外侧壁固定设置有调控手柄，所述活动环上等距设
置有弧形传动斜槽，所述支撑杆活动插接设置在承载环中，且支撑杆的一端延伸至弧形传动斜槽中，另一端延伸至承载环的外侧，且端部固定设置有连接盘，所述连接盘在与支撑杆相连接端固定设置有辅助弹簧，辅助弹簧的一端固定设置在承载环的上端面上，且连接盘通过螺钉与单晶炉磁场装置连接固定。
[0012]优选的，所述支撑杆与弧形传动斜槽设置位置相对应、设置组数相同，设置有四组，且支撑杆的底端面与弧形传动斜槽中的底端接触。
[0013]优选的，所述弧形传动斜槽的槽口为弧形，且其内部一端到另一端具有坡度，通过弧形传动斜槽的旋来对支撑杆进行向上挤压支撑。
[0014]优选的，所述锁定圆槽等距设置在凸环上，且锁定圆槽中的底端面固定设置有第一磁片，所述固定体固定设置在承载环的外侧壁，且固定体的底端面设置在凸环的边侧位置，固定体中活动设置有活动定位杆，所述活动定位杆的一端底端面固定设置有第二磁片，上端面固定设置有连接板，所述连接板在与活动定位杆相连接端固定设置有复位弹簧，复位弹簧的一端固定设置在固定体上，连接板上固定设置有拉扣。
[0015]优选的，所述活动定位杆与锁定圆槽设置位置相对应、两者直径设置相等；且第二磁片与第一磁片设置位置相对应、设置组数相同，两者相互吸引。
[0016]单晶硅的制备方法：
[0017]S1：对于单晶炉磁场装置通过设置的承载环、微调辅助机构之间的配合使用，对于单晶炉磁场装置能够进行微调修正工作；
[0018]S2：通过设置的锁定机构对微调辅助机构进行锁定，保证其微调工作的稳定性，进而确保单晶炉以及单晶硅加工的稳定性。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0020]本专利技术设计单晶炉及相应的单晶硅制备方法，对于单晶炉磁场装置通过设置的承载环、微调辅助机构和锁定机构之间的配合使用，对于单晶炉磁场装置能够进行微调工作，进行微调修正，避免造成位置调控产生偏差，给单晶炉的使用提供便捷，提升单晶硅加工的工作质量，能够满足实际使用需求。
附图说明
[0021]图1为本专利技术单晶炉磁场装置结构连接俯视图；
[0022]图2为本专利技术图1中结构连接局部放大示意图；
[0023]图3为本专利技术单晶炉磁场装置结构连接仰视图；
[0024]图4为本专利技术图3中结构连接局部放大示意图；
[0025]图5为本专利技术承载环内部结构连接局部剖视左侧示意图；
[0026]图6为本专利技术图5中结构连接局部放大示意图；
[0027]图7为本专利技术承载环内部结构连接局部剖视右侧示意图；
[0028]图8为本专利技术图7中结构连接局部放大示意图；
[0029]图9为本专利技术锁定机构局部结构连接局部剖视图。
[0030]图中：单晶炉磁场装置1、顶推控制杆2、承载环3、微调辅助机构4、活动环401、凸环402、调控手柄403、弧形传动斜槽404、支撑杆405、连接盘406、辅助弹簧407、锁定机构5、锁定圆槽501、第一磁片502、固定体503、活动定位杆504、连接板505、第二磁片506、复位弹簧
507、拉扣508。
具体实施方式
[0031]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]请参阅图1至图9，本专利技术提供一种技术方案：单晶炉，包括单晶炉磁场装置1、顶推控制杆2，单晶炉磁场装置1通过顶推控制杆2进行升降控制，且单晶炉磁场装置1通过设置的微调辅助机构4进行位置微调，顶推控制杆2对称固定设置在承载环3的底端，且承载环3上连接设置有微调辅助机构4；顶推控制杆2共设置有四组；
[0033]微调辅助机构4包含有活动环401、凸环402、调控手柄403、弧形传动斜槽404、支撑杆405、连接盘406、辅助弹簧407，且微调辅助机构4通过设置的锁定机构5进行锁定；
[0034]活动环401活动设置在承载环3中，且活动环401的外侧壁固定设置有凸环402，凸环402延伸至承载环3的外侧，且凸环402的外侧壁固定设置有调控手柄403，活动环401上等距设置有弧形传动斜槽404，支撑杆405活动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.单晶炉，包括单晶炉磁场装置(1)、顶推控制杆(2)，所述单晶炉磁场装置(1)通过顶推控制杆(2)进行升降控制，且单晶炉磁场装置(1)通过设置的微调辅助机构(4)进行位置微调，所述顶推控制杆(2)对称固定设置在承载环(3)的底端，且承载环(3)上连接设置有微调辅助机构(4)；其特征在于：所述微调辅助机构(4)包含有活动环(401)、凸环(402)、调控手柄(403)、弧形传动斜槽(404)、支撑杆(405)、连接盘(406)、辅助弹簧(407)，且微调辅助机构(4)通过设置的锁定机构(5)进行锁定；所述锁定机构(5)包含有锁定圆槽(501)、第一磁片(502)、固定体(503)、活动定位杆(504)、连接板(505)、第二磁片(506)、复位弹簧(507)、拉扣(508)。2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于：所述顶推控制杆(2)共设置有四组。3.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于：所述活动环(401)活动设置在承载环(3)中，且活动环(401)的外侧壁固定设置有凸环(402)，所述凸环(402)延伸至承载环(3)的外侧，且凸环(402)的外侧壁固定设置有调控手柄(403)，所述活动环(401)上等距设置有弧形传动斜槽(404)，所述支撑杆(405)活动插接设置在承载环(3)中，且支撑杆(405)的一端延伸至弧形传动斜槽(404)中，另一端延伸至承载环(3)的外侧，且端部固定设置有连接盘(406)，所述连接盘(406)在与支撑杆(405)相连接端固定设置有辅助弹簧(407)，辅助弹簧(407)的一端固定设置在承载环(3)的上端面上，且连接盘(406)通过螺钉与单晶炉磁场装置(1)连接固定。4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于：所述支撑杆(405)与弧形...

【专利技术属性】
技术研发人员：许建枫，祝林飞，郝振庆，曹林，曹刚，
申请(专利权)人：浙江昱力机电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：