【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单晶硅生产，具体涉及一种单晶炉系统的清灰方法和单晶炉系统。
技术介绍
1、目前行业内大多采用低炉压拉晶工艺来制备单晶硅，在拉晶过程中，需要持续向单晶炉内通入保护气体，并通过真空泵持续向外抽气，以带走因高温而产生的硅氧化物、杂质挥发物和硅碳化合物等灰尘，在该过程中，为了避免灰尘进入真空泵而导致其损坏，需要在单晶炉与真空泵之间增设除尘罐，通过除尘罐中的过滤袋对尾气进行过滤。
2、由于灰尘颗粒较小、重量较轻，会随气流在过滤袋表面附着；随着使用时间的延长，灰尘在过滤袋表面附着较多，严重影响过滤袋的透气能力和除尘效果，因此，需要定期对过滤袋进行清洁，去除其上附着的灰尘。
3、目前行业内所使用的除尘罐虽然自带电击打或气动击打装置来去除过滤袋上附着的灰尘，但由于运行过程中过滤袋两侧压差较大，除尘效果不明显，影响单晶硅的品质，因此，只能够在停机后进行清灰操作。但在单晶炉的运行过程中，随着单晶炉运行时间延长，过滤袋的堵塞也愈加严重，为了稳定单晶炉内压力，真空泵运行频率需要不断上升直至满频（最大频率）；当真空泵满频运行后，...
【技术保护点】
1.一种单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，所述单晶炉系统的清灰方法包括除尘罐的清灰方法，所述除尘罐的清灰方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，在复投完成后、熔料的过程中执行所述除尘罐的清灰方法。
3.根据权利要求2所述的单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，所述单晶炉内部的压力值比所述除尘罐（1）内部的压力值高第一预设值。
4.根据权利要求3所述的单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，所述第一预设值的取值范围为10Torr -50Torr。
5.根据权利要求2所述的单晶炉系统的清灰方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，所述单晶炉系统的清灰方法包括除尘罐的清灰方法，所述除尘罐的清灰方法包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，在复投完成后、熔料的过程中执行所述除尘罐的清灰方法。
3.根据权利要求2所述的单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，所述单晶炉内部的压力值比所述除尘罐（1）内部的压力值高第一预设值。
4.根据权利要求3所述的单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，所述第一预设值的取值范围为10torr -50torr。
5.根据权利要求2所述的单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，在所述步骤s102中，所述预设次数的取值范围为：10次-20次。
6.根据权利要求1所述的单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，在停炉完成后执行所述除尘罐的清灰方法。
7.根据权利要求6所述的单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，在所述步骤s101中，所述单晶炉内部的压力值与所述除尘罐（1）内部的压力值相等；
8.根据权利要求1-7任一项所述的单晶炉系统的清灰方法，其特征在于，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：辛瞳，云飞，周英明，刘亮，
申请(专利权)人：双良硅材料包头有限公司，
类型：发明
国别省市：
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