【技术实现步骤摘要】
一种激光调阻方法和装置
[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种激光调阻方法和装置。
技术介绍
[0002]调阻，是利用激光对基板上的贴片电阻、无源电路、有源电路、合金电阻进行调阻。即在实时测量电阻的同时，利用激光刻蚀改变电阻的截面积来增加电阻值的方式，使小于目标电阻值的电阻达到目标电阻值。
[0003]当前，对基板上阵列式排列的待调电阻采用单次切工艺，进行批量调阻。即在预设工艺参数的基础上，通过激光逐行对每个待调电阻刻蚀一次，达到目标电阻值。
[0004]但是，单次切工艺对一些特殊的待调电阻进行切割时，切割时间越长，切割的长度也越长，待调电阻的温度就越高，当超过临界温度时，待调电阻的电阻值将不可控，常常导致生产良率偏低。例如，对一些不同加工工艺的待调电阻，比如，高电阻值的电阻、低电阻值的电阻、小尺寸电阻、热敏电阻、对激光(热)敏感的电阻、对切割图形敏感的电阻以及切割长度敏感的电阻。
[0005]因此，本申请提供了一种激光调阻方法，以解决上述技术问题之一。
技术实现思路
>[0006]本申请本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光调阻方法，其特征在于，包括：利用单次切工艺对至少一个试调基板中的各个待调电阻分别进行调阻，基于调阻后所述至少一个试调基板中的各个待调电阻的电阻值获得所述至少一个试调基板的生产良率；当所述至少一个试调基板的生产良率低于预设良率阈值时，利用多次切工艺对待加工基板中的各个待调电阻分别进行调阻，使所述待加工基板的生产良率大于或等于预设良率阈值，其中，所述待加工基板中的各个待调电阻均与所述至少一个试调基板中的各个待调电阻具有相同特性。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用多次切工艺对待加工基板中的各个待调电阻分别进行调阻，包括：基于所述待加工基板中所有待调电阻共有的预设特性信息确定所述多次切工艺中各次切割工艺的切割参数值；基于所述多次切工艺中各次切割工艺的切割参数值对所述待加工基板中的各个待调电阻分别进行调阻。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述待加工基板中所有待调电阻共有的预设特性信息确定所述多次切工艺中各次切割工艺的切割参数值，包括：基于所述待加工基板中的待调电阻的预设特性信息确定所述多次切工艺中各次切割工艺的平衡系数值，其中，所述多次切工艺中所有切割工艺的平衡系数值的和等于1。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多次切工艺包括两次切工艺，所述两次切工艺包括第一次切割工艺和第二次切割工艺；相应地，所述基于所述多次切工艺中各次切割工艺的切割参数值对所述待加工基板中的各个待调电阻分别进行调阻，包括：基于所述第一次切割工艺的平衡系数值对预设目标电阻值进行分配，获得所述第一次切割工艺的第一目标电阻值；在对所述待加工基板中的任一待调电阻执行所述第一次切割工艺的过程中，实时测试所述任一待调电阻的第一电阻值；当所述任一待调电阻的第一电阻值等于所述第一目标电阻值时，终止执行所述第一次切割工艺；当测量所述任一待调电阻的温度值低于预设冷却温度阈值时，对所述任一待调电阻执行所述第二次切割工艺，且实时测试所述任一待调电阻的第二电阻值；当所述任一待调电阻的第二电阻值等于预设目标电阻值时，终止执行所述第二次切割工艺。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一次切割工艺的切割参数值还包括在预设坐标系中的起始切割位置和切割角度；所述第二次切割工艺的切割参数值还包括间距值；所述间距值大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：周峰，刘春雨，贺霖，张胜，孙明霞，宋宇，王凯，
申请(专利权)人：长春光华微电子设备工程中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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