一种外延片及包含该外延片的发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及发光二极管制造领域，公开了一种发光二极管的外延片，包括衬底，以及依次位于其上的AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层，在第一和第二多量子阱层之间，和/或第二和第三多量子阱层之间，和/或第二多量子阱层内部还设有Al

【技术实现步骤摘要】
一种外延片及包含该外延片的发光二极管


[0001]本专利技术涉及发光二极管制造领域，特别涉及一种外延片及包含该外延片的发光二极管。

技术介绍

[0002]现有GaN基外延结构因为电子浓度显著高于空穴浓度，同时空穴有效质量大于电子有效质量，导致加上正偏电压时，电子扩散速度大于空穴扩散速度，部分电子扩散到P型发生非辐射复合，降低了发光辐射的比例。
[0003]另外现有蓝宝石上生长的GaN基外延结构存在大量V型凹坑，研究表明V型凹坑可以屏蔽部分外延结构缺陷带来的漏电几率，同时实验表面V型凹坑侧壁会存在空穴注入和复合发光行为，V型凹坑成为发光中心。而现有GaN基外延结构V型凹坑侧壁发光比例偏低，整体发光辐射效率偏低。
[0004]公开号为CN103413877B、专利名称为“外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构”的专利技术专利，通过修改HT MQW的能带图，实现对进入发光区电子的阻挡作用，减少电子进入P层与空穴发生非辐射复合的几率，而且在HTMQW被阻挡的电子经过二维扩散，更均匀的注入发光区，提高电子与空穴的复合效率，提升亮度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，包括衬底（101），以及依次位于衬底上的AlN缓冲层（102）、U型GaN层（103）、N型GaN层（104）、第一多量子阱层（105）、第二多量子阱层（106）、第三多量子阱层（107）、电子阻挡层（108）、P型GaN层（109）和P型接触层（110），其特征在于，在所述第一多量子阱层（105）与所述第二多量子阱层（106）之间，和/或所述第二多量子阱层（106）与所述第三多量子阱层（107）之间，和/或所述第二多量子阱层（106）内部还设有插入层（111），所述插入层为Al
x
In
y
Ga
（1
‑
x
‑
y）
N层（111），其中，1≥x＞0，1＞y≥0。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述插入层（111）厚度为0.5nm
‑
5nm。3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第二多量子阱层（106）包含2
‑
12个周期的第二InGaN阱层和第二GaN垒层形成的超晶格结构。4.根据权利要求3所述的外延片...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雷城，展望，芦玲，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：