一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法，涉及半导体光电器件技术；该元件包括：衬底以及在衬底上由下至上依次生长而成的第一半导体、电压调控层、有源区过渡层、多量子阱、电子阻挡层和第二半导体；电压调控层包括由下至上依次生长的第一禁带层、第二禁带层和第三禁带层；第三禁带层的参数大于或等于第一禁带层的参数；第一禁带层的参数大于或等于第二禁带层的参数；第二禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第二设定范围；第三禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第三设定范围；第三设定范围处于第二设定范围内；第一禁带层的硅元素掺杂浓度大于或等于第二禁带层的元素掺杂浓度；本发明专利技术在不影响光电性能情况下可控的调节工作电压。的调节工作电压。的调节工作电压。

【技术实现步骤摘要】
一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件
，特别是涉及一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体元件特别是半导体发光元件，具有如下优点：具有可调范围广泛的波长范围、发光效率高、节能环保、可使用超过10万小时的长寿命、尺寸小以及可设计性强，已逐渐取代白炽灯和荧光灯，成为普通家庭照明的光源，并广泛应用于新的场景，如：户内高分辨率显示屏、户外显屏、手机电视背光照明、路灯、车灯、手电筒等。
[0003]半导体发光元件中的不同波长不同光色芯片协调显示构成绚丽多彩的照明显示场景。因不同波长芯片的禁带宽度、体电阻接触电阻存在差异，蓝绿光芯片搭配使用时经常出现绿光电压偏低问题，使得光电性能受到了影响。为了解决电压偏低以及对应出现的光电性能受到影响的问题，目前，通常是单纯通过调整掺杂量去匹配蓝绿光电压，但是该调节方式又带来了不同电流密度使用条件，电压变化量差异过大的问题，使得光色芯片的工作电压不可控。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有电压调控层的半导体发光元件，其特征在于，所述元件包括：衬底以及在所述衬底上由下至上依次生长而成的第一半导体、电压调控层、有源区过渡层、多量子阱、电子阻挡层和第二半导体；所述电压调控层包括：由下至上依次生长的第一禁带层、第二禁带层和第三禁带层；所述第三禁带层的参数大于或等于所述第一禁带层的参数；所述第一禁带层的参数大于或等于所述第二禁带层的参数；所述参数，包括：宽度和铝元素占比；所述第二禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第二设定范围；所述第三禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第三设定范围；所述第三设定范围处于所述第二设定范围内；所述第一禁带层的硅元素掺杂浓度大于或等于所述第二禁带层的元素掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的具有电压调控层的半导体发光元件，其特征在于，所述第二禁带层的宽度大于或等于所述多量子阱中的阱层的宽度；所述第三禁带层的铝元素占比小于或等于设定占比。3.根据权利要求1所述的具有电压调控层的半导体发光元件，其特征在于，所述第一禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第一设定范围；所述第一设定范围为5e
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5e
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atoms/cm3；所述第二设定范围为0
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5e
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atom/cm3；所述第三设定范围为2e
17
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2e
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atoms/cm3。4.根据权利要求1所述的具有电压调控层的半导体发光元件，其特征在于，第一禁带层厚度为10nm
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50nm；第二禁带层厚度为1nm
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10nm；第三禁带层厚度为10nm
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50nm。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡武，康建，杨天鹏，陈向东，
申请(专利权)人：马鞍山杰生半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：