一种LED显示器件制造技术

本申请公开了一种LED显示器件，属于显示技术领域。本申请公开的LED显示器件正常工作时，靠近设置有像素电极的第一电极层的第一电流扩散层中，横向电流扩散长度小于或等于相邻像素电极边缘之间最短间距的一半，使得每个像素电极对应的像素点的工作电流不会扩散至相邻像素点。也就是说，每个像素点的有源层可被独立控制发光，从而在大尺寸LED芯片上通过调节横向电流扩散长度实现各像素点的自隔离，无需通过刻蚀实现各像素点之间的隔离，能够避免因刻蚀损伤带来的消极影响，从而提高LED显示器件的可靠性和良率，降低漏电几率。降低漏电几率。降低漏电几率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED显示器件


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种LED显示器件。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED技术是将传统的LED微缩化和矩阵化的技术，先将传统的大尺寸LED芯片微缩化至微米量级的Micro
‑
LED芯片，再将其矩阵化为高密度集成的LED阵列，使得应用了Micro
‑
LED技术的显示屏中每个像素点均可以被独立地定位、点亮，从而实现对每个Micro
‑
LED芯片的精确控制，进而实现显示功能。现有技术中为了获得Micro
‑
LED芯片，通常要采用刻蚀工艺控制芯片尺寸，因此带来了刻蚀损伤，引起漏电、可靠性下降、以及良率下降等问题。而且，随着Micro
‑
LED芯片尺寸的缩小，刻蚀形成的芯片侧面占芯片总表面积的比例也不断增大，刻蚀损伤带来的消极影响也不断增大。

技术实现思路

[0003]本申请主要解决的技术问题是提供一种LED显示器件，能够提高LED显示器件的可靠性和良率，降低漏电几率。
[0004]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种LED显示器件，所述LED显示器件包括发光外延片，所述发光外延片包括：
[0005]有源层；
[0006]第一电流扩散层和第二电流扩散层，分别设置于所述有源层的相对两侧；
[0007]第一电极层和第二电极层，所述第一电极层设置于所述第一电流扩散层背离所述有源层的一侧，所述第二电极层设置于所述第二电流扩散层背离所述有源层的一侧，所述第一电极层包括以阵列方式排布的多个像素电极；
[0008]其中，所述第一电流扩散层的厚度和电阻率设置成使得：在所述LED显示器件正常工作时，所述第一电流扩散层的横向电流扩散长度满足其中Ls为所述第一电流扩散层的横向电流扩散长度，D1为相邻设置的所述像素电极的边缘之间的最短间距。
[0009]其中，所述第一电流扩散层的横向电流扩散长度Ls通过以下公式计算：
[0010][0011]其中，k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，e为电子电量，t为所述第一电流扩散层的厚度，ρ为所述第一电流扩散层的电阻率，J0为在所述LED显示器件正常工作时所述像素电极所覆盖的第一电流扩散层内的电流密度。
[0012]其中，所述第一电流扩散层的电阻率大于或等于0.1Ω
·
cm。
[0013]其中，所述第一电流扩散层的厚度小于或等于1μm。
[0014]其中，所述第一电流扩散层的电阻率大于或等于0.5Ω
·
cm，所述第一电流扩散层
的厚度小于或等于0.5μm。
[0015]其中，所述第一电流扩散层的电阻率大于或等于1Ω
·
cm，所述第一电流扩散层的厚度小于或等于0.1μm。
[0016]其中，
[0017]其中，D1≤20μm。
[0018]其中，其中D2为相邻设置的所述像素电极的几何中心之间的间距。
[0019]其中，所述LED显示器件进一步包括驱动背板，所述驱动背板包括背板主体以及以阵列方式排布于所述背板主体上的多个开关器件，其中，每个所述像素电极电连接至对应的所述开关器件，以由所连接的所述开关器件提供驱动信号。
[0020]其中，所述驱动背板与所述发光外延片键合固定；所述像素电极形成于所述背板主体上，并在所述驱动背板与所述发光外延片键合固定时与所述第一电流扩散层形成导电接触；或者，所述像素电极形成于所述第一电流扩散层上，所述驱动背板进一步包括以阵列方式排布于所述背板主体上的多个键合电极，每个所述键合电极电连接至对应的所述开关器件，并与对应的所述像素电极对位键合。
[0021]其中，所述驱动背板以生长方式形成于所述发光外延片一侧；所述像素电极形成于所述第一电流扩散层上，以生长方式形成所述驱动背板时，所述开关器件对应于所述像素电极的位置生长形成；所述LED显示器件进一步包括背板衬底，位于所述背板主体远离所述像素电极一侧，且与所述背板主体键合固定。
[0022]其中，所述第一电流扩散层和第二电流扩散层中的一个为N型半导体层，另一个为P型半导体层，所述第二电极层为公共电极层。
[0023]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种LED显示器件，所述LED显示器件包括发光外延片，所述发光外延片包括：
[0024]有源层；
[0025]第一电流扩散层和第二电流扩散层，分别设置于所述有源层的相对两侧；
[0026]第一电极层和第二电极层，所述第一电极层设置于所述第一电流扩散层背离所述有源层的一侧，所述第二电极层设置于所述第二电流扩散层背离所述有源层的一侧，所述第一电极层包括以阵列方式排布的多个像素电极；
[0027]其中，所述第一电流扩散层的厚度和电阻率设置成使得：当每一所述像素电极与所述第二电极层分别施加正常工作电压时，所述每一像素电极所覆盖的区域内产生的光具有第一发光强度，所述每一像素电极所产生的横向扩散电流在相邻设置的其他像素电极所覆盖区域内产生的光具有第二发光强度，所述第一发光强度与所述第二发光强度的比值大于或等于10。
[0028]其中，所述第一电流扩散层的厚度小于或等于1μm，所述第一电流扩散层的电阻率大于或等于0.1Ω
·
cm。
[0029]其中，所述第一发光强度与所述第二发光强度的比值大于或等于20。
[0030]其中，所述每一像素电极与相邻设置的其他像素电极的边缘之间的最短间距小于
或等于10μm。
[0031]本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请中LED显示器件正常工作时，靠近设置有像素电极的第一电极层的第一电流扩散层中，横向电流扩散长度小于或等于相邻像素电极边缘之间最短间距的一半，使得每个像素电极对应的像素点的工作电流不会扩散至相邻像素点。也就是说，每个像素点的有源层可被独立控制发光，从而在大尺寸LED芯片上通过调节横向电流扩散长度实现各像素点的自隔离，无需通过刻蚀实现各像素点之间的隔离，能够避免因刻蚀损伤带来的消极影响，从而提高LED显示器件的可靠性和良率，降低漏电几率。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
[0033]图1为本申请LED显示器件一实施方式的结构示意图；
[0034]图2为驱动背板一实施方式的结构示意图；
[0035]图3为外延结构一实施方式的结构示意图；
[0036]图4为外延结构临时键合一实施方式的结构示意图；
[0037]图5为外延结构与驱动背板键合一实施方式的结构示意图；
[0038]图6为外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED显示器件，其特征在于，所述LED显示器件包括发光外延片，所述发光外延片包括：有源层；第一电流扩散层和第二电流扩散层，分别设置于所述有源层的相对两侧；第一电极层和第二电极层，所述第一电极层设置于所述第一电流扩散层背离所述有源层的一侧，所述第二电极层设置于所述第二电流扩散层背离所述有源层的一侧，所述第一电极层包括以阵列方式排布的多个像素电极；其中，所述第一电流扩散层的厚度和电阻率设置成使得：在所述LED显示器件正常工作时，所述第一电流扩散层的横向电流扩散长度满足其中Ls为所述第一电流扩散层的横向电流扩散长度，D1为相邻设置的所述像素电极的边缘之间的最短间距。2.根据权利要求1所述的LED显示器件，其特征在于，所述第一电流扩散层的横向电流扩散长度Ls通过以下公式计算：其中，k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，e为电子电量，t为所述第一电流扩散层的厚度，ρ为所述第一电流扩散层的电阻率，J0为在所述LED显示器件正常工作时所述像素电极所覆盖的第一电流扩散层内的电流密度。3.根据权利要求1所述的LED显示器件，其特征在于，所述第一电流扩散层的电阻率大于或等于0.1Ω
·
cm。4.根据权利要求3所述的LED显示器件，其特征在于，所述第一电流扩散层的厚度小于或等于1μm。5.根据权利要求4所述的LED显示器件，其特征在于，所述第一电流扩散层的电阻率大于或等于0.5Ω
·
cm，所述第一电流扩散层的厚度小于或等于0.5μm。6.根据权利要求4所述的LED显示器件，其特征在于，所述第一电流扩散层的电阻率大于或等于1Ω
·
cm，所述第一电流扩散层的厚度小于或等于0.1μm。7.根据权利要求1所述的LED显示器件，其特征在于，8.根据权利要求1所述的LED显示器件，其特征在于，D1≤20μm。9.根据权利要求1所述的LED显示器件，其特征在于，其中D2为相邻设置的所述像素电极的几何中心之间的间距。10.根据权利要求1所述的LED显示器件，其特征在于，所述LED显示器件进一步包括驱动背板，所述驱动背板包括背板主体以及以阵列方式排布于所述背板主体上的多个开关器件，其中，每个所述像素电极电连接至对应的所述开关器件，以由所连接的所述开关器件提供驱动信号。11.根据权利要求10所述的LE...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄守媛，
申请(专利权)人：蒋振宇，
类型：发明
国别省市：