一种LED发光器件制造技术

本申请公开了一种LED发光器件，属于发光二极管技术领域。本申请LED发光器件中，第一电流扩散层包括层叠设置的第一子层和第二子层，第一子层相对第二子层更靠近有源层，第一子层保持连续设置，第二子层包括以蚀刻方式形成且彼此间隔的多个电流扩散单元，且第一子层的电阻率大于第二子层的电阻率。本申请将第二子层以蚀刻方式形成彼此间隔的多个电流扩散单元，实现第一层隔离；同时限定第一子层的电阻率大于第二子层的电阻率，可进一步调控第一子层的电流扩散长度，使其中的工作电流不能扩散至相邻发光单元，实现第二层隔离。本申请通过仅蚀刻部分第一电流扩散层实现发光单元的隔离，减少蚀刻边缘，提高光电性能。提高光电性能。提高光电性能。

【技术实现步骤摘要】
一种LED发光器件


[0001]本申请涉及发光二极管
，特别是涉及一种LED发光器件。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED技术是将传统的LED微缩化和矩阵化的技术，先将传统的大尺寸LED芯片微缩化至微米量级的Micro
‑
LED芯片，再将其矩阵化为高密度集成的LED阵列，使得应用了Micro
‑
LED技术的显示屏中每个发光单元均可以被独立地定位、点亮，从而实现对每个Micro
‑
LED芯片的精确控制，进而实现显示功能。现有技术中为了获得Micro
‑
LED芯片，通常要采用刻蚀工艺控制芯片尺寸，刻蚀边缘处的芯片结构受到损伤，引起漏电、可靠性下降、以及良率下降等问题，对出光效率也带来不利影响。

技术实现思路

[0003]本申请主要解决的技术问题是提供一种LED发光器件，能够提高LED发光器件的光电性能。
[0004]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种LED发光器件，所述LED发光器件包括发光外延片，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED发光器件，其特征在于，所述LED发光器件包括发光外延片，所述发光外延片包括：有源层；第一电流扩散层和第二电流扩散层，分别设置于所述有源层的相对两侧；所述第一电流扩散层包括层叠设置的第一子层和第二子层，所述第一子层相对所述第二子层更靠近所述有源层，所述第一子层保持连续设置，所述第二子层包括以蚀刻方式形成且彼此间隔的多个电流扩散单元，且所述第一子层的电阻率大于所述第二子层的电阻率；第一电极层和第二电极层，所述第二电极层设置于所述第二电流扩散层背离所述有源层的一侧；所述第一电极层包括以阵列方式排布的多个电极单元，所述电极单元设置于对应的所述电流扩散单元背离所述第一子层的一侧。2.根据权利要求1所述的LED发光器件，其特征在于，所述第一子层的厚度小于所述第二子层的厚度。3.根据权利要求1所述的LED发光器件，其特征在于，所述第一子层的厚度和电阻率设置成使得：在所述LED发光器件正常工作时，Ls<D1/2，其中Ls为所述第一子层的横向电流扩散长度，D1为相邻设置的所述电流扩散单元的边缘之间的最短间距。4.根据权利要求1所述的LED发光器件，其特征在于，所述第一子层在对应于所述电流扩散单元之间的间隔区域的位置处形成有离子轰击隔离区。5.根据权利要求4所述的LED发光器件，其特征在于，所述第一子层的厚度和电阻率设置成使得：在所述LED发光器件正常工作时，Ls<D2，其中Ls为所述第一子层的横向电流扩散长度，D2为所述电流扩散单元的边缘与所述离子轰击隔离区的边缘之间的最短间距。6.根据权利要求3或者5所述的LED发光器件，其特征在于，所述第一子层的横向电流扩散长度Ls通过以下公式计算：其中，k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，e为电子电量，t为所述第一子层的厚度，ρ为所述第一子层的电阻率，J0为在所述LED发光器件正常工作时所述电极单元所覆盖的第一子层内的电流密度。7.根据权利要求3
‑
5任一项所述的LED发光器件，其特征在于，所述第一子层的电阻率ρ大于或等于0.1Ω
·
cm。8.根据权利要求7所述的LED发光器件，其特征在于，所述第一子层的厚度t小于或等于1μm。9.根据权利要求8所述的LED发光器件，其特征在于，所述第一子层的电阻率ρ大于或等于0.5Ω
·
cm，所述第一子层的厚度t小于或等于0.5μm。10.根据权利要求8所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋振宇，申广，
申请(专利权)人：蒋振宇，
类型：发明
国别省市：