一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法技术

技术编号:37305862 阅读:32 留言:0更新日期:2023-04-21 22:50
本发明专利技术公开一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法,氧化镓肖特基势垒二极管包括:Ga2O3衬底;设置在Ga2O3衬底一表面上的Ga2O3漂移层,Ga2O3漂移层远离Ga2O3衬底的一侧设置有若干个凹槽,凹槽中设置有p型半导体;p型半导体与Ga2O3漂移层形成PN异质结;Ga2O3漂移层远离Ga2O3衬底一侧的外侧面为斜面;设置在所述Ga2O3衬底远离Ga2O3漂移层的一侧的阴极;设置在Ga2O3漂移层远离Ga2O3衬底一侧的表面及p型半导体上的阳极。本发明专利技术中通过PN异质结分担结终端的场强以提升器件耐压性能;通过斜面进一步分担结终端的场强,从而进一步提高了器件的耐压性能,避免了结终端区域被击穿。避免了结终端区域被击穿。避免了结终端区域被击穿。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件
,尤其涉及一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)是近些年来兴起的一种新型大功率半导体材料。Ga2O3具有五种不同的结构,分别为α

Ga2O3、β

Ga2O3、γ

Ga2O3、δ

Ga2O3以及ε

Ga2O3。其中,具有单斜结构的β

Ga2O3最稳定,能带宽度可达4.9eV,期望击穿电场高达8MV/cm,本征电子迁移率极限为250cm2/V
·
s,可实现高电压、高功率工作。目前Ga2O3已实现的临界电场高达5.2MV/cm,超过SiC和GaN的理论极限,且在Ga2O3衬底和外延层中均实现了100

150cm2/V
·
s的电子迁移率。除此之外,相对于SiC和GaN来说,Ga2O3的一个重要优点是可通过熔体生长方法获得大面积低位错密本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化镓肖特基势垒二极管,其特征在于,包括:Ga2O3衬底;Ga2O3漂移层,设置在所述Ga2O3衬底一表面上,所述Ga2O3漂移层远离所述Ga2O3衬底的一侧设置有若干个凹槽,所述凹槽中设置有p型半导体;所述p型半导体与所述Ga2O3漂移层形成PN异质结;所述Ga2O3漂移层远离所述Ga2O3衬底一侧的外侧面为斜面;阴极,设置在所述Ga2O3衬底远离所述Ga2O3漂移层的一侧;阳极,设置在所述Ga2O3漂移层远离所述Ga2O3衬底一侧的表面及所述p型半导体上。2.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基势垒二极管,其特征在于,所述p型半导体选自p型GaN、p型NiO、p型Cu2O、p型锌钴氧化物中的至少一种。3.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基势垒二极管,其特征在于,所述Ga2O3衬底的材料选自α

Ga2O3、β

Ga2O3、γ

Ga2O3、ε

Ga2O3、δ

Ga2O3中的至少一种;所述Ga2O3漂移层的材料选自α

Ga2O3、β

Ga2O3、γ

Ga2O3、ε

Ga2O3、δ

Ga2O3中的至少一种。4.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基势垒二极管,其特征在于,所述凹槽呈周期性排布。5.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基...

【专利技术属性】
技术研发人员:齐红基陈端阳包森川张龙
申请(专利权)人:杭州富加镓业科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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