【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体功率器件
,尤其涉及一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法。
技术介绍
[0002]超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)是近些年来兴起的一种新型大功率半导体材料。Ga2O3具有五种不同的结构,分别为α
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Ga2O3、β
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Ga2O3、γ
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Ga2O3、δ
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Ga2O3以及ε
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Ga2O3。其中,具有单斜结构的β
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Ga2O3最稳定,能带宽度可达4.9eV,期望击穿电场高达8MV/cm,本征电子迁移率极限为250cm2/V
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s,可实现高电压、高功率工作。目前Ga2O3已实现的临界电场高达5.2MV/cm,超过SiC和GaN的理论极限,且在Ga2O3衬底和外延层中均实现了100
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150cm2/V
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s的电子迁移率。除此之外,相对于SiC和GaN来说,Ga2O3的一个重要优点是可通过熔体生长方 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氧化镓肖特基势垒二极管,其特征在于,包括:Ga2O3衬底;Ga2O3漂移层,设置在所述Ga2O3衬底一表面上,所述Ga2O3漂移层远离所述Ga2O3衬底的一侧设置有若干个凹槽,所述凹槽中设置有p型半导体;所述p型半导体与所述Ga2O3漂移层形成PN异质结;所述Ga2O3漂移层远离所述Ga2O3衬底一侧的外侧面为斜面;阴极,设置在所述Ga2O3衬底远离所述Ga2O3漂移层的一侧;阳极,设置在所述Ga2O3漂移层远离所述Ga2O3衬底一侧的表面及所述p型半导体上。2.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基势垒二极管,其特征在于,所述p型半导体选自p型GaN、p型NiO、p型Cu2O、p型锌钴氧化物中的至少一种。3.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基势垒二极管,其特征在于,所述Ga2O3衬底的材料选自α
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Ga2O3、β
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Ga2O3、γ
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Ga2O3、ε
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Ga2O3、δ
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Ga2O3中的至少一种;所述Ga2O3漂移层的材料选自α
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Ga2O3、β
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Ga2O3、γ
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Ga2O3、ε
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Ga2O3、δ
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Ga2O3中的至少一种。4.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基势垒二极管,其特征在于,所述凹槽呈周期性排布。5.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基...
【专利技术属性】
技术研发人员:齐红基,陈端阳,包森川,张龙,
申请(专利权)人:杭州富加镓业科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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