一体化LNAPA集成器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种一体化LNA PA集成器件及其制备方法，包括：在SiC衬底上，自下而上依次生长GaN缓冲层、第一GaN沟道层、InAlN势垒层、第二GaN沟道层和AlGaN势垒层；通过刻蚀AlGaN势垒层、第二GaN沟道层、InAlN势垒层、第一GaN沟道层，在器件一侧形成“L”型漏极区域；通过刻蚀AlGaN势垒层、第二GaN沟道层、InAlN势垒层、第一GaN沟道层，在器件另一侧形成“I”型源极区域；在漏极区域和源极区域分别形成漏、源电极；在漏、源极区域外的AlGaN势垒层上生长钝化层；通过刻蚀在钝化层上形成“T”型栅极区域；在栅极区域形成T型栅电极。本发明专利技术可以集成LNA与PA应用于单个器件。LNA与PA应用于单个器件。LNA与PA应用于单个器件。

【技术实现步骤摘要】
一体化LNA PA集成器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种一体化LNA PA集成器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]基于第三代半导体材料GaN的GaN HEMT器件因其宽禁带、耐高压和高迁移率等特性，近年来被广泛应用于PA和LNA，目前已经成功实现在5G基站、卫星通讯和军工等重要领域的应用。目前通常会将多个晶体管分别用作PA和LNA，构成的射频收发系统。
[0003]但是，多个晶体管的使用会导致成本高，封装难度大，集成度差；并随着工作频率的提高，封装带来的损耗会变得越来越严重，封装的成本也会大大提升。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种一体化LNA PA集成器件及其制备方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种一体化LNA PA集成制备方法，包括：
[0006]在SiC衬底上，自下而上依次生长GaN缓冲层、第一GaN沟道层、InAlN势垒层、第二GaN沟道层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种一体化LNA PA集成制备方法，其特征在于，包括：在SiC衬底上，自下而上依次生长GaN缓冲层、第一GaN沟道层、InAlN势垒层、第二GaN沟道层和AlGaN势垒层；通过刻蚀所述AlGaN势垒层、所述第二GaN沟道层、所述InAlN势垒层、所述第一GaN沟道层，在器件一侧形成“L”型漏极区域；通过刻蚀所述AlGaN势垒层、所述第二GaN沟道层、所述InAlN势垒层、所述第一GaN沟道层，在器件另一侧形成“I”型源极区域；在所述漏极区域和所述源极区域分别蒸发漏极金属、源极金属形成漏电极和源电极；在漏极区域和源极区域外的所述AlGaN势垒层上生长钝化层；通过刻蚀在所述钝化层上形成“T”型栅极区域；在所述栅极区域蒸发栅极金属形成T型栅电极。2.根据权利要求1所述的一体化LNA PA集成制备方法，其特征在于，在SiC衬底上，自下而上依次生长GaN缓冲层、第一GaN沟道层、InAlN势垒层、第二GaN沟道层、AlGaN势垒层，包括：在SiC衬底上，利用MOCVD技术自下而上依次生长厚度为1μm的GaN缓冲层、厚度为10nm的第一GaN沟道层、厚度为10nm且In组份为17％的InAlN势垒层、厚度为10nm的第二GaN沟道层和厚度为10nm且Al组份为30％的AlGaN势垒层。3.根据权利要求1所述的一体化LNA PA集成制备方法，其特征在于，通过刻蚀所述AlGaN势垒层、所述第二GaN沟道层、所述InAlN势垒层、所述第一GaN沟道层，在器件一侧形成“L”型漏极区域，包括：在所述AlGaN势垒层上涂抹光刻胶，利用Cl基干法刻蚀技术刻蚀所述AlGaN势垒层、所述第二GaN沟道层、所述InAlN势垒层、所述第一GaN沟道层，在器件一侧形成“I”型漏极区域；继续利用湿法刻蚀技术刻蚀所述InAlN势垒层、所述第一GaN沟道层，在器件一侧形成“L”型漏极区域。4.根据权利要求1所述的一体化LNA PA集成制备方法，其特征在于，通过刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凌，于谦，张濛，武玫，邹旭，时春州，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：