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本发明公开了一种一体化LNA PA集成器件及其制备方法，包括：在SiC衬底上，自下而上依次生长GaN缓冲层、第一GaN沟道层、InAlN势垒层、第二GaN沟道层和AlGaN势垒层；通过刻蚀AlGaN势垒层、第二GaN沟道层、InAlN势垒层...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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