一种碳化硅功率器件及开关元件制造技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅功率器件及开关元件。碳化硅功率器件至少包括一个元胞，元胞包括衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；外延层，外延层位于衬底的第一表面，外延层包括漂移区、位于元胞两侧且在漂移区表面内的体区、位于体区表面内的源区以及围绕体区设置的结型场效应晶体管区；还包括肖特基区域，肖特基区域位于相邻元胞之间，肖特基区域包括位于外延层远离衬底一侧的肖特基金属层，肖特基金属层与漂移区形成肖特基接触；外延层还包括绝缘层，绝缘层包括第一绝缘分部，第一绝缘分部至少部分覆盖体区靠近衬底一侧的底面。通过在碳化硅功率器件中设置绝缘层，能够有效降低PN二极管两端的压降，提高肖特基二极管的电流能力。流能力。流能力。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅功率器件及开关元件


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种碳化硅功率器件及开关元件。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是新型宽禁带半导体材料，具有出色的物理、化学和电性能，碳化硅(SiC)具有宽禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，在大功率和高温应用环境中非常具有吸引力和应用前景。
[0003]传统的碳化硅MOSFET，在其元胞结构中除MOS结构外仍寄生了一个体内PN二极管。为了抑制碳化硅MOSFET中PN二极管的开启，较为有效的办法是采用肖特基二极管（SBD）与MOSFET反并联使用，作为其续流二极管；但是由于PN二极管两端压降的影响，肖特基二极管的电流能力受到限制，进而影响碳化硅MOSFET的整体性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种碳化硅功率器件及开关元件，能够有效降低PN二极管两端的压降，提高肖特基二极管的电流能力。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种碳化硅功率器件，所述碳化硅功率器件至少包括一个元胞，其特征在于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅功率器件，所述碳化硅功率器件至少包括一个元胞，其特征在于，所述元胞包括衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；外延层，所述外延层位于所述衬底的所述第一表面，所述外延层包括漂移区、位于所述元胞两侧且在所述漂移区表面内的体区、位于所述体区表面内的源区以及围绕所述体区设置的结型场效应晶体管区；所述碳化硅功率器件还包括肖特基区域，所述肖特基区域位于相邻所述元胞之间，所述肖特基区域包括位于所述外延层远离所述衬底一侧的肖特基金属层，所述肖特基金属层与所述漂移区形成肖特基接触；所述外延层还包括绝缘层，所述绝缘层包括第一绝缘分部，所述第一绝缘分部至少部分覆盖所述体区靠近所述衬底一侧的底面。2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述体区包括远离所述结型场效应晶体管区的第一侧壁，所述绝缘层包括第二绝缘分部，所述第二绝缘分部至少部分覆盖所述第一侧壁。3.根据权利要求2所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述第一绝缘分部包括多个第一绝缘子分部，相邻所述第一绝缘子分部间隔设置；和/或，所述第二绝缘分部包括多个第二绝缘子分部，相邻所述第二绝缘子分...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国江，胡佳贤，
申请(专利权)人：江苏长晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：