半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种能够在单元部分的终端部分附近确保足够的击穿电压的半导体器件及其制造方法。单元部分包括彼此相邻的第一单元柱状区域和第二单元柱状区域，以及布置在第一单元柱状区域和第二单元柱状区域之间的第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极。外周部分包括连接到第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极中的每个单元沟槽栅极的端部的外周沟槽栅极和相对于外周沟槽栅极而被布置在单元部分侧上并且在平面图中跨第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极延伸的第一外周柱状区域。沟槽栅极延伸的第一外周柱状区域。沟槽栅极延伸的第一外周柱状区域。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]包括说明书、附图和摘要在内的于2021年10月13日提交的日本专利申请号2021
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168077的公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。本专利技术适用于例如包括绝缘栅场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0004]下面列出了公开的技术。
[0005][专利文献1]日本未审查专利申请公开No.2021
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82770
[0006]具有超结(superjunction)结构(以下简称SJ结构)的垂直绝缘栅场效应晶体管是一种用于控制高电压和大电流的功率半导体器件。希望该半导体器件的导通电阻低并且其击穿电压高。例如，专利文献1中公开了具有垂直绝缘栅场效应晶体管和SJ结构的半导体器件。

技术实现思路

[0007]专利文献1公开了一种具有SJ结构的垂直绝缘栅场效应晶体管，其中多个沟槽栅极被布置在彼此相邻的两个p型柱状区域之间。因为通过提供多个沟槽栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括主表面；单元部分，具有形成在所述半导体衬底上的绝缘栅场效应晶体管；以及外周部分，在所述主表面处位于所述单元部分的外部，其中所述单元部分包括：第一单元柱状区域和第二单元柱状区域，在平面图中所述第一单元柱状区域和所述第二单元柱状区域在所述半导体衬底上被布置为彼此相邻；以及第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极，在平面图中所述第一单元沟槽栅极和所述第二单元沟槽栅极被布置在所述第一单元柱状区域和所述第二单元柱状区域之间，以及其中所述外周部分包括：外周沟槽栅极，在平面图中所述外周沟槽栅极连接到所述第一单元沟槽栅极和所述第二单元沟槽栅极中的每个单元沟槽栅极的端部；以及第一外周柱状区域，相对于所述外周沟槽栅极而被布置在所述单元部分侧上，并且在平面图中跨所述第一单元沟槽栅极和所述第二单元沟槽栅极延伸。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在平面图中，所述第一外周柱状区域在所述单元部分的整个宽度方向上延伸。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一外周柱状区域被形成为在平面图中包围所述单元部分的外周。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述外周部分还包括第二外周柱状区域，并且其中在平面图中所述第二外周柱状区域与所述第一外周柱状区域将所述外周沟槽栅极夹在中间，并且在所述单元部分的整个宽度方向上延伸。5.一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括主表面；单元部分，具有形成在所述半导体衬底上的绝缘栅场效应晶体管；以及外周部分，在所述主表面处位于所述单元部分的外部，其中所述单元部分包括：第一单元柱状区域和第二单元柱状区域，在平面图中所述第一单元柱状区域和所述第二单元柱状区域在所述半导体衬底上被布置为彼此相邻；以及第一单元沟槽栅极和第二单元沟槽栅极，在平面图中所述第一单元沟槽栅极和所述第二单元沟槽栅极被布置在所述第一单元柱状区域和所述第二单元柱状区域之间，以及其中所述外周部分包括：外周沟槽栅极，在平面图中所述外周沟槽栅极连接到所述第一单元沟槽栅极和所述第二单元沟槽栅极中的每个单元沟槽栅极的端部；以及外周柱状区域，所述外周柱状区域布置在所述外周沟槽栅极的正下方。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中具有所述外周沟槽栅极的外周沟槽形成在所述半导体衬底中，并且其中所述外...

【专利技术属性】
技术研发人员：名渊雄太，柳川洋，永久克己，酒井敦，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：