异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法技术

本公开的实施例涉及异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法。一种异质外延半导体器件，包括：体半导体衬底；包括第一半导体材料的种子层，该种子层被布置在体半导体衬底的第一侧处并且包括面对体半导体衬底的第一侧、相对的第二侧和连接第一侧和第二侧的横向侧；布置在体半导体衬底和种子层之间的分隔层；异质外延结构，其在种子层的第二侧上生长并且包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料；以及介电材料层，其被布置在种子层上并且至少部分地包封异质外延结构，其中介电材料层还覆盖种子层的横向侧。料层还覆盖种子层的横向侧。料层还覆盖种子层的横向侧。

【技术实现步骤摘要】
异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法


[0001]本公开总体上涉及异质外延半导体器件(例如，可以被使用于图像传感器中的异质外延半导体器件)以及用于制造异质外延半导体该器件的方法。

技术介绍

[0002]异质外延半导体器件包括种子层和在种子层上外延生长的结构，其中种子层和结构由不同的半导体化合物组成。例如，Ge层可以外延生长在Si种子层上。两种不同的半导体化合物可以具有相似的晶格常数和/或热膨胀系数。制造尺寸特别大和/或晶体缺陷特别少的异质外延层可能是所期望的。然而，可能源自种子层和异质外延层之间的边界的位错(dislocation)可能会为异质外延层的晶体结构的尺寸和/或完美无瑕设定上限。改进的异质外延半导体器件和改进的用于制造异质外延半导体器件的方法可以减少甚至消除这些位错并且还可以提供另外的益处。
[0003]本专利技术所基于的问题由独立权利要求的特征来解决。在从属权利要求中描述了另外的有利示例。

技术实现思路

[0004]各个方面涉及异质外延半导体器件，包括：体半导体衬底；包括第一半导体材料的种子层，该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质外延半导体器件，包括：体半导体衬底，种子层，包括第一半导体材料，所述种子层被布置在所述体半导体衬底的第一侧处并且包括面对所述体半导体衬底的第一侧、相对的第二侧以及使所述第一侧和所述第二侧连接的横向侧，分隔层，布置在所述体半导体衬底与所述种子层之间，异质外延结构，在所述种子层的所述第二侧上生长并且包括与所述第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及介电材料层，被布置在所述种子层上并且至少部分地包封所述异质外延结构，其中所述介电材料层也覆盖所述种子层的所述横向侧。2.根据权利要求1所述的异质外延半导体器件，其中所述异质外延结构包括连接到所述种子层的体部分和布置在所述体部分的顶部上的顶部部分，其中所述体部分的横向延伸小于所述顶部部分的横向延伸，所述横向延伸是平行于所述种子层的第二侧而被测量的。3.根据权利要求2所述的异质外延半导体器件，其中所述介电材料层包括下介电材料层和上介电材料层，其中所述体部分被布置在所述下介电材料层内，并且所述顶部部分被布置在所述上介电材料层内。4.根据权利要求2或3所述的异质外延半导体器件，其中所述顶部部分具有基本上金字塔形的形状。5.根据权利要求2至4中任一项所述的异质外延半导体器件，其中所述体部分具有在100:1至1:100的范围内的纵横比，特别是在1:1至1:10的范围内。6.根据前述权利要求中任一项所述的异质外延半导体器件，其中所述种子层具有平行于所述种子层的第二侧测量的10μm或更小的横向维度，特别是5μm或更小。7.根据前述权利要求中任一项所述的异质外延半导体器件，其中所述第一半导体材料是Si并且所述第二半导体材料是Ge。8.根据前述权利要求中任一项所述的异质外延半导体器件，其中所述分隔层包括在所述体半导体衬底内的掩埋介电材...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：