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本公开的实施例涉及异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法。一种异质外延半导体器件，包括：体半导体衬底；包括第一半导体材料的种子层，该种子层被布置在体半导体衬底的第一侧处并且包括面对体半导体衬底的第一侧、相对的第二侧和连接第一侧和第...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。

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