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本发明公开一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法，氧化镓肖特基势垒二极管包括：Ga2O3衬底；设置在Ga2O3衬底一表面上的Ga2O3漂移层，Ga2O3漂移层远离Ga2O3衬底的一侧设置有若干个凹槽，凹槽中设置有p型半导体；p型半导体与Ga...
该专利属于杭州富加镓业科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富加镓业科技有限公司授权不得商用。

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