一种具有插入层的外延片及包含该外延片的发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及发光二极管制造领域，公开了一种具有插入层的外延片及包含该外延片的发光二极管，包括衬底，以及依次位于其上的缓冲层，未掺杂U型GaN层，n型GaN层，量子阱发光层，p型GaN层及p型接触层；在n型GaN层和量子阱发光层中的In

【技术实现步骤摘要】
一种具有插入层的外延片及包含该外延片的发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体LED制造领域，特别涉及一种具有插入层的外延片及包含该外延片的发光二极管。

技术介绍

[0002]现有技术一般在高掺杂nGaN后，插入一层低掺杂的nGaN层/或者低掺杂的AlGaN层以进行电流扩展，达到增强抗静电能力以及提升内量子效率。但该低掺杂nGaN层，会提高LED结构的正向电压，不利于光效的提升。
[0003]公开号为CN113659047B、专利名称为“一种外延结构和发光二极管”的专利技术专利，通过调整第三峰形的峰顶和第一峰形的峰顶的最小距离D1，使得电流扩展层尽可能地靠近有源层，在外延结构和采用外延结构的发光二极管受到静电冲击时能够有效地引导冲击电流，保护有源层不易被静电击穿；同时，电流扩展层与重掺杂层之间的区域为电子存储区，且该电子存储区具有较大厚度，在受到静电冲击时该电子存储区可提供大量电子以降低外延结构和采用外延结构的发光二极管被静电击穿的风险，提升外延结构和采用该外延结构的抗静电能力。
[0004]该专利在n型层与有源层之间依次包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有插入层的发光二极管的外延结构，包括衬底（1），以及依次位于衬底（1）上的缓冲层（2），未掺杂U型GaN层（3），n型GaN层（4），量子阱发光层（6），p型GaN层（7）及p型接触层（8）；其特征在于，所述量子阱发光层（6）包括从下至上依次设置的In
x2
Al
y2
GaN/GaN浅量子阱层（61）、In
x3
Al
y3
GaN/GaN预生长量子阱层（62）、In
x4
Al
y4
GaN/GaN发光量子阱层（63），其中，X2＞0，X3＞0，X4＞0，y2≥0，y3≥0，y4≥0；在所述n型GaN层（4）和所述In
x2
Al
y2
GaN/GaN浅量子阱层（61）之间设置有插入层（5），所述插入层（5）为In
x1
Al
y1
Ga1‑
x1
N/GaN超晶格结构层，其中，0.8>x1>0，y1≥0 。2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述插入层（5）包括一第一In浓度振荡曲线，所述第一In浓度振荡曲线包括若干个第一In峰；所述In
x2
Al
y2
GaN/GaN浅量子阱层（61）包括一第二In浓度振荡曲线，所述第二In浓度振荡曲线包括若干个第二In峰，所述第一In峰与所述第二In峰之间的距离为D1：20nm<D1<200nm。3.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，在所述插入层（5）与所述In
x2
Al
y2
GaN/GaN浅量子阱层（61）之间还设置有厚度小于所述D1的中间层11，所述中间层11为n型掺杂GaN层。4.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，在所述n型GaN层（4）至所述P型GaN层（7）之间包括一Si浓度曲线，所述Si浓度曲线呈阶梯式下降。5.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述插入层（5）中，In
x1
Al
y1
Ga1‑
x1
N子层的总厚度与GaN子层的总厚度比为1:1~1:5 ；和/或，所述插入层（5）的总厚度为30nm~300nm。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王明军，郭园，祝光辉，芦玲，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：