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本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种具有插入层的外延片及包含该外延片的发光二极管，包括衬底，以及依次位于其上的缓冲层，未掺杂U型GaN层，n型GaN层，量子阱发光层，p型GaN层及p型接触层；在n型GaN层和量子阱发光层中的In
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