发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括依次层叠于所述应力释放层上的第一有源层、第二有源层和第三有源层，所述第一有源层包括周期性层叠的第一量子阱层和第一量子垒层，所述第二有源层包括周期性层叠的第二量子阱层和第二量子垒层，所述第三有源层包括周期性层叠的第三量子阱层和第三量子垒层。本发明专利技术提供的发光二极管外延片能够进一步改善droop效应，提升辐射复合几率，获得更佳的光电性能。得更佳的光电性能。得更佳的光电性能。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管


[0001]本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

[0002]二极管内量子效率随着注入电流的增加，会出现先升高后降低的现象，此现象称之为Efficiency Droop现象。目前Ⅲ族氮化物LED其最大发光效率落在相对较小的流密度下，约在2A/cm2‑
10A/cm2电流密度之间。而普通照明产品应用端的工作电流密度范围在20A/cm2‑
80A/cm2之间，此电流密度下的内量子效率正处于下降阶段。如果能减缓甚至消除效率下降现象，LED便能在高电流操作下也能保持高发光效率，如此更能节省照明应用的成本。造成droop效应几个主要的影响因素包括极化电场影响的载子溢流、电子传输造成的载子溢流、俄歇复合带来的效率下降以及空穴注入效率下等。为了减少droop效应，现有技术中普遍使用InGaN/GaN超晶格或者量子阱结构作为应力释放层来减少由应力带来的极化效应，同时增大电子与空穴辐射复合几率。另一方面，通过在量子阱和P型GaN之间插入AlGaN电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括依次层叠于所述应力释放层上的第一有源层、第二有源层和第三有源层，所述第一有源层包括周期性层叠的第一量子阱层和第一量子垒层，所述第二有源层包括周期性层叠的第二量子阱层和第二量子垒层，所述第三有源层包括周期性层叠的第三量子阱层和第三量子垒层；所述第一量子阱层为In
x
Ga1‑
x
N层，所述第一量子垒层包含Al
y
Ga1‑
y
N层和GaN层，所述第二量子阱层和第三量子阱层均为In
z
Ga1‑
z
N层，所述第二量子垒层和和第三量子垒层均为GaN层，其中，x的取值范围为0.01
‑
0.1，y的取值范围为0.001
‑
0.01，z的取值范围为0.1
‑
0.5。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一量子阱层和第一量子垒层的层叠周期为5
‑
10；所述第二量子阱层和第二量子垒层的层叠周期为2
‑
6；所述第三量子阱层和第三量子垒层的层叠周期为1
‑
3。3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二量子垒层的厚度小于所述第一量子垒层的厚度；所述第二量子垒层的厚度小于所述第三量子垒层的厚度。4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二量子垒的厚度：所述第一量子垒层的厚度的值≤0.8；所述第二量子垒的厚度：所述第三量子垒层的厚度的值≤0.8。5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二量子垒层的Si掺杂浓度为1
×
10
17
atoms/cm3‑1×
10
18
atoms/cm3；所述第三量子垒层的Si掺杂浓度为1
×
10
17
atoms/cm3‑1×
10
18
atoms/cm3。6.如权利要求5所述的发光二极管外延片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高虹，程龙，郑文杰，舒俊，张彩霞，程金连，印从飞，刘春杨，吕蒙普，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：